HBM3E와 HBM4의 차이

비교 마지막 확인 2026-08-11

한 줄로: HBM3E는 HBM3와 같은 1,024비트 폭에서 속도를 끌어올린 판이고, HBM4는 폭 자체를 2,048비트로 두 배 넓힌 세대다.

	HBM3E (5세대)	HBM4 (6세대)
인터페이스 폭	1,024비트	2,048비트
JEDEC 표준	(HBM3 확장)	JESD270-4 (2025-04-16 공표)
표준 핀당 속도	—	최대 8 Gb/s
표준 스택당 대역폭	—	최대 2 TB/s
표준 최대 용량	—	64GB (32Gb 다이 16단)
자리	엔비디아 H200·B200 세대 주력	2026년 8월 현재 3사 모두 양산 단계

핵심은 폭이다. 핀당 속도는 HBM3의 6.4 Gb/s에서 8 Gb/s로 조금 올랐을 뿐인데, 폭이 두 배가 되면서 대역폭이 2.4배가 됐다.

폭이 베이스 다이를 바꿨다

폭이 두 배가 되면서 베이스 다이가 정리해야 할 신호가 두 배가 됐고, 세 회사가 베이스 다이를 로직 파운드리 공정으로 옮긴 계기가 됐다. 다만 JEDEC 표준에 베이스 다이 공정 규정은 없다 — 회사의 선택이다.

숫자를 인용할 때 조심할 것

회사 발표 스펙은 표준보다 높다. 규격 위반이 아니라 "규격이 요구한 것보다 잘 만들었다"는 뜻으로 회사가 붙이는 값이다 (삼성 HBM4: 11.7 Gb/s 상시·최대 13 Gb/s, 최대 3.3 TB/s). 그리고 HBM3E 쪽은 삼성 공식 자료끼리 핀 속도가 9.2/9.6/9.8 Gb/s 세 가지로 갈리는 문제가 있다 — 인용할 일이 있으면 어느 자료의 숫자인지 함께 밝히는 편이 안전하다.

근거가 사는 용어 페이지

HBM4인터페이스 폭을 2,048비트로 두 배 넓힌 HBM 세대. 2026년 8월 현재 세 회사 모두 양산 단계다.HBM3EHBM3의 확장판. 엔비디아 H200·B200 세대에 들어간 메모리이고, 삼성 공식 자료끼리 핀 속도가 어긋나는 대표 사례다.베이스 다이HBM 스택 맨 아래에 깔려 GPU와 메모리 사이 신호를 담당하는 칩. HBM4에서 메모리 공정이 아니라 로직 파운드리 공정으로 옮겨 가면서 경쟁 구도를 바꿨

이 주제를 다룬 분석

HBM4 2TB/s와 Rubin 22TB/s — 같은 대역폭이 아닌 이유2026-08-31 · JEDEC HBM4의 스택당 2TB/s, Micron의 2.8TB/s, NVIDIA Rubin GPU의 22TB/s 엔비디아 2,790억달러 약정, 메모리 3사 매출로 바로 읽으면 안 되는 이유2026-08-27 · 엔비디아의 공급·생산능력 약정이 1,190억달러에서 2,790억달러로 2.34배 늘었습니다. 메모리 조달이 중심이라 HBM을 붙이는 세 가지 방법 — MR-MUF, TC-NCF, 하이브리드 본딩2026-08-20 · HBM은 다이를 12단, 16단으로 쌓아 올린 덩어리입니다. 그 다이들을 어떻게 붙이는지가 SK하이닉스는 MR-MU 삼성 600~700조 주주환원 추정의 전제와 세 가지 현금 흐름2026-08-15 · 삼성전자 600~700조 주주환원 추정, 샌디스크 초과현금 100% 환원, 인텔 200억 달러 유상증자를 근거의 등

목록메모리 반도체 위키 전체 더 읽기분석 리포트

지수 화면에서 이어서 보기

4단계 경보단가·가이던스·capex 가 꺾이는지 매일 판정합니다 계산식 시뮬레이션검증표에서 지표 값을 바꿔 점수 변화를 확인하고 계산 한계도 함께 봅니다 방문자 심리 투표지수는 기계의 계산입니다 — 사람들 생각도 같이 봅니다 소식 알림 받기실적 발표·가이던스 갱신·지수 급변 때 알려드립니다. 로그인 없이 켭니다

스레드 @m.index.kr 에도 매일 씁니다.

이 글의 숫자는 공개 API 실측값이거나 회사가 직접 낸 발표문에서 가져온 것입니다. 지수와 점수는 제가 만든 계산의 결과이지 사실이 아니며, 계산식은 검증 페이지에 전부 공개돼 있습니다. 투자 자문이 아니고 매매 권유도 아닙니다.