베이스 다이

이 용어를 다룬 분석 — HBM4 2TB/s와 Rubin 22TB/s — 같은 대역폭이 아닌 이유 외 1편 ↓

베이스 다이는 HBM 적층 구조의 맨 아래에 놓여, 위에 쌓인 코어 다이(DRAM)와 바깥의 GPU·CPU 사이를 잇는 칩이다. 삼성전자는 이를 이렇게 정의한다.

베이스 다이는 HBM 적층 구조에서 코어 다이 하부에 위치하는 로직 다이로서 GPU, CPU 등 외부 프로세서와 HBM 간 데이터를 연결하는 고속 인터페이스를 담당하는 소자입니다.

HBM4에서 무엇이 달라졌나

HBM4에서 인터페이스 폭이 1,024비트에서 2,048비트로 두 배가 됐다. 베이스 다이가 정리해야 할 신호선이 두 배가 됐다는 뜻이고, 여기에 전력 관리와 시험 회로까지 얹히면서 메모리 공정으로 만들기에는 로직이 너무 많아졌다.

그래서 회사들이 베이스 다이를 로직 파운드리 공정으로 옮기기 시작했다. 삼성은 자사 파운드리로, SK하이닉스와 마이크론은 TSMC로 갔다.

다만 이건 표준이 시킨 게 아니다

JEDEC의 HBM4 표준(JESD270-4)에는 베이스 다이를 어떤 공정으로 만들라는 규정이 없다. "HBM4부터는 파운드리 공정으로 만들어야 한다"는 서술을 흔히 보게 되는데, 그건 표준의 요구가 아니라 각 회사가 고른 구현 방식이다. 이 구분이 중요한 이유는, 표준이 시킨 일이라면 회사 간 차이가 생길 수 없지만 선택이라면 차이가 그대로 실력 차이로 남기 때문이다.

• JEDEC — JESD270-4 HBM4 공표

노드 숫자를 인용할 때 조심할 것

세 회사 중 자사 베이스 다이 공정 노드를 숫자로 밝힌 곳은 삼성뿐이다. SK하이닉스는 일관되게 "TSMC의 advanced logic process"까지만 말하고 노드를 밝히지 않는다. 시중에서 보이는 12나노·5나노·3나노 같은 숫자는 전부 TSMC 심포지엄 발표를 옮긴 매체 보도다. 아래 업체 트랙에서 공식과 보도를 갈라 두었다.

확인 못 한 것

여기 적힌 "확인하지 못했다"의 자리에 실제로 어떤 숫자가 도는지는 미확정 자료에 출처·날짜와 함께 모아 두었다. 값이 왜 갈리는지와, 무엇이 나오면 확정으로 옮기는지도 같이 적었다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

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