M = Memory 메모리 반도체 · INDEX = 지수 · 삼성전자 · SK하이닉스 · 삼성전자우
HBM(High Bandwidth Memory)은 DRAM 다이를 여러 장 수직으로 쌓고 실리콘 관통 전극(TSV)으로 층과 층을 이어 붙인 메모리다. 스택 맨 아래에는 베이스 다이가 깔려 바깥의 GPU·CPU와 신호를 주고받는다.
일반 DRAM과 다른 점은 폭이다. DDR5 한 채널이 64비트를 쓰는 동안 HBM은 한 스택이 1,024비트(HBM3까지) 또는 2,048비트(HBM4)를 동시에 쓴다. 핀 하나의 속도를 올리는 대신 핀을 넓게 깔았고, 그래서 같은 전력으로 더 많은 데이터를 옮긴다. AI 가속기가 HBM을 쓰는 이유가 정확히 이것이다.
HBM의 "속도"라는 말에는 서로 다른 세 개의 숫자가 섞여 있다.
아래 표는 1과 2를 갈라 놓았다. 3은 우리가 확인할 방법이 없어 적지 않는다.
| 세대 | 표준 문서 | 공표일 | 인터페이스 폭 | 핀당 속도 | 스택당 대역폭 | 채널 | 최대 용량 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM3 | JESD238 | 2022-01-27 | 1,024비트 | 6.4 Gb/s | 819 GB/s | 16 (의사채널 32) | 64GB |
| HBM4 | JESD270-4 | 2025-04-16 | 2,048비트 | 8 Gb/s | 2 TB/s | 32 (채널당 의사채널 2) | 64GB |
HBM4에서 인터페이스 폭이 두 배가 된 것이 이 세대의 핵심이다. 핀당 속도는 6.4에서 8 Gb/s로 조금 올랐을 뿐인데 대역폭이 2.4배가 된 이유가 폭이다. 그리고 폭이 두 배가 되면서 스택 아래에서 신호를 정리하는 베이스 다이가 할 일이 크게 늘었고, 그것이 세 회사가 베이스 다이를 로직 공정으로 옮긴 배경이 된다.
HBM·HBM2·HBM2E·HBM3E의 JEDEC 문서 번호와 수치는 아직 원문으로 확인하지 못했다. 확인하지 않은 것은 적지 않는다 — 표준과 회사 발표를 섞는 순간 이 표의 쓸모가 사라진다.
세 회사가 자사 뉴스룸·IR에서 스스로 밝힌 값이다. 발표 시점이 회사마다 달라 같은 세대라도 숫자가 다를 수 있다.
| 세대 | 삼성전자 | SK하이닉스 | 마이크론 |
|---|---|---|---|
| HBM2E | Flashbolt · 3.2 Gb/s · 410 GB/s · 8단 16GB (2020-02) | 3.6 Gb/s · 460 GB/s 초과 · 8단 16GB (2020-07 양산) | 3.2 Gb/s · 410 GB/s · 4·8단 8·16GB |
| HBM3 | Icebolt · 6.4 Gb/s · 819 GB/s · 8·12단 16~24GB | 6.4 Gb/s · 819 GB/s · 8단 16GB, 12단 24GB (2022-06 엔비디아 공급) | 공식 확인 안 됨 |
| HBM3E | Shinebolt · 9.2 Gb/s (제품 페이지) · 1,180~1,280 GB/s · 8·12단 24~36GB | 12단 9.6 Gb/s · 36GB (2024-09 양산), 16단 48GB 발표 (2024-11) | 9.2 Gb/s 초과 · 1.2 TB/s 초과 · 8단 24GB, 12단 36GB |
| HBM4 | 11.7 Gb/s 상시 · 최대 13 Gb/s · 최대 3.3 TB/s · 12단 (2026-02 출하) | 12단 11.7 Gb/s · 36GB (2026-01 공개) | 11.0 Gb/s 초과 · 2.8 TB/s 초과 · 12단 36GB (2026-03 양산) |
이건 매체 추정이 아니라 전부 삼성이 낸 숫자다.
셋 중 하나를 골라 "삼성 HBM3E는 몇 Gb/s"라고 단정하는 글은, 근거가 셋 중 어느 것인지 밝히지 않은 것이다. 우리는 셋을 그대로 적어 둔다. 대역폭도 같은 문제가 있어 1,180 GB/s(제품 페이지)와 1,280 GB/s(36GB 12H 보도자료)가 공존한다.
2025-06-10 샘플 출하 시점에는 "2.0 TB/s 초과", 2026-03-16 양산 발표와 현행 제품 페이지에는 "2.8 TB/s 초과"다. 시점 차이로 보이지만 마이크론이 그렇게 설명한 적은 없어, 추정하지 않고 양쪽을 적어 둔다.
HBM4는 세 회사 모두 양산 단계에 들어갔다. 삼성이 2026-02 상용 HBM4 출하를 발표했고, 마이크론이 2026-03 본격 양산을, SK하이닉스는 2025-09 개발 완료 뒤 2026년 2분기 실적에서 HBM4 양산 개시를 밝혔다.
다음 세대인 HBM4E도 이미 샘플 단계다. 삼성이 2026-03 GTC에서 공개하고 2026-05 12단 샘플을 출하했으며, SK하이닉스도 2026-06 12단 HBM4E 샘플을 출하했다.
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