HBM

이 용어를 다룬 분석 — Oracle AI 클라우드 121% 성장 — 계약이 주주가치가 되려면 외 3편 ↓

첫 화면 요약 · HBM은 DRAM을 TSV로 수직 적층한 가속기용 메모리다. HBM3는 1,024비트·819GB/s, HBM4는 2,048비트·2TB/s의 JEDEC 표준 수치이며, 2026년 1분기 매출 기준 HBM 점유율은 별도 표에서 확인한다. 접합 공정은 MR-MUF·TC-NCF·하이브리드 본딩으로 나눠 본다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 DRAM 다이를 여러 장 수직으로 쌓고 실리콘 관통 전극(TSV)으로 층과 층을 이어 붙인 메모리다. 스택 맨 아래에는 베이스 다이가 깔려 바깥의 GPU·CPU와 신호를 주고받는다. 업체별 HBM 점유율은 별도 추정으로 만들지 않고 D램·HBM 점유율의 2026년 1분기 집계를 기준으로 확인한다.

분류상 HBM은 DRAM과 나란한 별도 소자가 아니라 DRAM을 적층·고대역폭화한 제품군이다. DRAM·NAND·HBM의 관계와 초보자용 분류 기준은 DRAM의 메모리 반도체 종류 설명에 모아 두었다.

일반 DRAM과 다른 점은 폭이다. DDR5 한 채널이 64비트를 쓰는 동안 HBM은 한 스택이 1,024비트(HBM3까지) 또는 2,048비트(HBM4)를 동시에 쓴다. 핀 하나의 속도를 올리는 대신 핀을 넓게 깔았고, 그래서 같은 전력으로 더 많은 데이터를 옮긴다. AI 가속기가 HBM을 쓰는 이유가 정확히 이것이다.

CPU 소켓의 서버 주 메모리 대역폭을 높이는 MRDIMM은 HBM과 위치·인터페이스가 다르다. 두 메모리를 같은 대체재 목록으로 세지 않는다.

숫자를 볼 때 반드시 나눠서 볼 것

HBM의 "속도"라는 말에는 서로 다른 세 개의 숫자가 섞여 있다.

1. JEDEC 표준의 최대치 — 국제 표준이 "여기까지는 규격 안"이라고 정해 둔 값.
2. 회사가 발표한 제품 스펙 — 표준보다 높은 경우가 흔하다. 규격을 어기는 게 아니라, 규격이 요구한 것보다 잘 만들었다는 뜻으로 회사가 자기 제품에 붙이는 값이다.
3. 실제 출하품에 들어간 값 — 고객이 어느 등급을 샀는지에 따라 다르고, 대개 공개되지 않는다.

아래 표는 1과 2를 갈라 놓았다. 3은 우리가 확인할 방법이 없어 적지 않는다.

JEDEC 표준 — 원문으로 확인한 것만

HBM4에서 인터페이스 폭이 두 배가 된 것이 이 세대의 핵심이다. 핀당 속도는 6.4에서 8 Gb/s로 조금 올랐을 뿐인데 대역폭이 2.4배가 된 이유가 폭이다. 그리고 폭이 두 배가 되면서 스택 아래에서 신호를 정리하는 베이스 다이가 할 일이 크게 늘었고, 그것이 세 회사가 베이스 다이를 로직 공정으로 옮긴 배경이 된다.

• JEDEC — HBM3 (JESD238) 공표
• JEDEC — HBM4 (JESD270-4) 공표

HBM·HBM2·HBM2E·HBM3E의 JEDEC 문서 번호와 수치는 아직 원문으로 확인하지 못했다. 확인하지 않은 것은 적지 않는다 — 표준과 회사 발표를 섞는 순간 이 표의 쓸모가 사라진다.

회사가 발표한 제품 스펙

세 회사가 자사 뉴스룸·IR에서 스스로 밝힌 값이다. 발표 시점이 회사마다 달라 같은 세대라도 숫자가 다를 수 있다.

삼성 HBM3E의 핀 속도는 삼성 공식 자료끼리 어긋난다

이건 매체 추정이 아니라 전부 삼성이 낸 숫자다.

• 9.8 Gb/s — Memory Tech Day 2023 (2023-10-21), Shinebolt 최초 공개
• 9.2 Gb/s — 현행 제품 페이지 "up to 9.2Gbps"
• 9.6 Gb/s — HBM4 보도자료 (2026-02) 안의 "전세대 HBM3E의 최대 핀 속도 9.6Gbps"

셋 중 하나를 골라 "삼성 HBM3E는 몇 Gb/s"라고 단정하는 글은, 근거가 셋 중 어느 것인지 밝히지 않은 것이다. 우리는 셋을 그대로 적어 둔다. 대역폭도 같은 문제가 있어 1,180 GB/s(제품 페이지)와 1,280 GB/s(36GB 12H 보도자료)가 공존한다.

• 삼성 — Memory Tech Day 2023
• 삼성 — HBM3E Shinebolt 제품 페이지
• 삼성 — 36GB HBM3E 12H 개발

마이크론 HBM4 대역폭도 두 값이 있다

2025-06-10 샘플 출하 시점에는 "2.0 TB/s 초과", 2026-03-16 양산 발표와 현행 제품 페이지에는 "2.8 TB/s 초과"다. 시점 차이로 보이지만 마이크론이 그렇게 설명한 적은 없어, 추정하지 않고 양쪽을 적어 둔다.

지금 어디까지 와 있나 (2026-08 기준)

HBM4는 세 회사 모두 양산 단계에 들어갔다. 삼성이 2026-02 상용 HBM4 출하를 발표했고, 마이크론이 2026-03 본격 양산을, SK하이닉스는 2025-09 개발 완료 뒤 2026년 2분기 실적에서 HBM4 양산 개시를 밝혔다.

다음 세대인 HBM4E도 이미 샘플 단계다. 삼성이 2026-03 GTC에서 공개하고 2026-05 12단 샘플을 출하했으며, SK하이닉스도 2026-06 12단 HBM4E 샘플을 출하했다.

트렌드 요약 · Today/PULSE 연결

• 한줄 정의: HBM은 여러 D램 다이를 수직으로 쌓아 AI 가속기에 높은 대역폭을 제공하는 메모리다.
• 왜 중요한가: AI 서버의 병목인 메모리 대역폭을 높이는 대신 적층·패키징 수율과 공급능력이 가격과 출하를 좌우한다.
• 공급망 위치: D램 코어 다이 → TSV·본딩 → 인터포저·CoWoS 패키징 → GPU·ASIC 고객의 순서로 이어진다.
• 관련 기업·지표: 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 세대별 샘플·양산, 단수·핀 속도·대역폭·HBM 출하 믹스를 본다.
• 혼동 용어: HBM3E·HBM4·HBM4E는 세대명이며, cHBM은 고객 맞춤형 베이스 다이를 뜻한다.
• 최근 변화: 2026년 HBM4 개발·샘플·양산 발표가 이어졌고, HBM4E는 회사별 공식 사양과 보도를 분리해야 한다.
• 출처·갱신일: 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 공식 자료를 기준으로 2026-08-13 갱신.
• 이어읽기: Today(오늘의 지수) · PULSE(최근 분석) · DDR5 · HBM4E · LPDDR6 · cHBM

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