M = Memory 메모리 반도체 · INDEX = 지수 · 삼성전자 · SK하이닉스 · 삼성전자우
하이브리드 본딩은 다이 사이에 범프(작은 납·구리 돌기)를 두지 않고 구리 패드끼리 직접 맞붙이는 접합 방식이다. 삼성은 HCB(Hybrid Copper Bonding)라고 부른다.
범프가 사라지면 두 가지가 생긴다. 층 간 거리가 줄어들고(같은 두께에 더 많이 쌓을 수 있다), 열이 빠져나갈 길이 좋아진다(범프 사이 빈 공간이 열을 가둔다). 16단 이상 HBM에서 이 둘이 동시에 병목이 되기 때문에 하이브리드 본딩이 후보로 거론된다.
삼성은 2026-03 GTC에서 HCB를 "차세대 HBM이 16단 이상을 달성하면서 TCB 대비 열저항을 20% 이상 낮출 수 있게 하는 새로운 방식"으로 소개했다.
2026년 8월 기준, 세 회사 중 HBM 양산에 하이브리드 본딩을 적용했다고 발표한 곳은 없다.
SK하이닉스는 2023년부터 개발을 언급했고 2024-11 16단 HBM3E 발표에서 "양산 검증된 Advanced MR-MUF를 적용했다. 별도로 하이브리드 본딩을 백업 공정으로 개발 중"이라고 밝혔다. 그 뒤 HBM4·HBM4E 발표에는 하이브리드 본딩 언급이 없다 — 즉 3년 가까이 "검토·백업" 자리에서 움직이지 않았다.
삼성은 파운드리 쪽에서 4㎛ 이하 초미세 피치 구리 인터커넥트를 개발 중이라고 밝혔으나, 메모리 양산 적용은 확인되지 않는다.
이 항목은 "곧 바뀐다고 여러 해 말해 온 기술"의 전형이다. 언제 실제로 넘어가는지가 다음 세대 HBM 경쟁의 갈림길이 될 수 있어, 발표가 나오면 이 페이지를 고친다.
이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.