하이브리드 본딩

이 용어를 다룬 분석 — HBM을 붙이는 세 가지 방법 — MR-MUF, TC-NCF, 하이브리드 본딩 ↓

하이브리드 본딩은 다이 사이에 범프(작은 납·구리 돌기)를 두지 않고 구리 패드끼리 직접 맞붙이는 접합 방식이다. 삼성은 HCB(Hybrid Copper Bonding)라고 부른다.

범프가 사라지면 두 가지가 생긴다. 층 간 거리가 줄어들고(같은 두께에 더 많이 쌓을 수 있다), 열이 빠져나갈 길이 좋아진다(범프 사이 빈 공간이 열을 가둔다). 16단 이상 HBM에서 이 둘이 동시에 병목이 되기 때문에 하이브리드 본딩이 후보로 거론된다.

삼성은 2026-03 GTC에서 HCB를 "차세대 HBM이 16단 이상을 달성하면서 TCB 대비 열저항을 20% 이상 낮출 수 있게 하는 새로운 방식"으로 소개했다.

아직 아무도 양산에 넣었다고 말하지 않았다

2026년 8월 기준, 세 회사 중 HBM 양산에 하이브리드 본딩을 적용했다고 발표한 곳은 없다.

SK하이닉스는 2023년부터 개발을 언급했고 2024-11 16단 HBM3E 발표에서 "양산 검증된 Advanced MR-MUF를 적용했다. 별도로 하이브리드 본딩을 백업 공정으로 개발 중"이라고 밝혔다. 그 뒤 HBM4·HBM4E 발표에는 하이브리드 본딩 언급이 없다 — 즉 3년 가까이 "검토·백업" 자리에서 움직이지 않았다.

삼성은 파운드리 쪽에서 4㎛ 이하 초미세 피치 구리 인터커넥트를 개발 중이라고 밝혔으나, 메모리 양산 적용은 확인되지 않는다.

이 항목은 "곧 바뀐다고 여러 해 말해 온 기술"의 전형이다. 언제 실제로 넘어가는지가 다음 세대 HBM 경쟁의 갈림길이 될 수 있어, 발표가 나오면 이 페이지를 고친다.

2026년에 다시 밀린 이유 — 규격이 먼저 양보했다

하이브리드 본딩이 필요하다고 했던 이유는 높이였다. 단수를 올리면서 패키지 두께 한도를 지키려면 다이를 더 얇게 갈아야 하고, 그러면 범프를 쓰는 기존 방식이 한계에 닿는다는 논리다.

그런데 JEDEC 이 그 한도를 풀었다. 보도에 따르면 HBM 패키지 두께 기준이 720μm → 775μm → 1,000μm 로 두 번 완화됐다. 압력의 원인 쪽이 먼저 물러선 것이다.

여기에 두 회사 모두 하이브리드 본딩 대신 방열 쪽 대안을 밀고 있다 — 삼성은 HPB, SK하이닉스는 iHBM 이다. 도입 시점으로 거론되는 것은 현재 16단 HBM4E 가 가장 이르다.

⚠ 이 문단의 두께 수치는 회사·JEDEC 발표문에서 직접 확인한 값이 아니라 보도 인용이다. JEDEC 문서는 유료라 원문을 대조하지 못했다. 미확정 자료에 출처와 함께 남겨 뒀다.

확인 못 한 것

여기 적힌 "확인하지 못했다"의 자리에 실제로 어떤 숫자가 도는지는 미확정 자료에 출처·날짜와 함께 모아 두었다. 값이 왜 갈리는지와, 무엇이 나오면 확정으로 옮기는지도 같이 적었다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

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