TC-NCF

이 용어를 다룬 분석 — HBM을 붙이는 세 가지 방법 — MR-MUF, TC-NCF, 하이브리드 본딩 ↓

첫 화면 요약 · TC-NCF는 다이마다 비전도성 필름을 깔고 열·압력으로 붙이는 HBM 접합 공법이다. 삼성은 HBM3E 12단에 적용했다고 밝혔고, SK하이닉스의 MR-MUF 및 차세대 하이브리드 본딩과는 공정 순서와 적용 시점이 다르다.

TC-NCF(Thermal Compression Non-Conductive Film)는 다이를 한 장 올릴 때마다 그 사이에 비전도성 필름을 깔고 열과 압력으로 눌러 붙이는 접합 방식이다. MR-MUF가 다 쌓은 뒤 한 번에 채우는 것과 반대로, 층마다 처리한다.

층마다 다루므로 각 층의 두께와 정렬을 세밀하게 관리할 수 있다. 대신 층 수만큼 공정이 반복된다.

삼성은 2024-02 36GB HBM3E 12단을 발표하며 "advanced TC NCF"를 적용했다고 밝혔다. 칩 사이 간극을 7㎛까지 좁혀 HBM3 8단 대비 수직 밀도를 20% 이상 높였고, 신호용 범프와 방열용 범프의 크기를 다르게 적용했다고 설명했다. 이후 기술 블로그에서는 "접합부 간극을 효과적으로 채워 열 성능을 저해할 보이드가 없도록 한다"고 덧붙였다.

HBM4 세대에서는 미확정이다

삼성의 2026-02 HBM4 출하 보도자료와 HBM4 제품 페이지는 TSV만 언급하고 접합 공법을 명시하지 않는다. 2024-08 기술 블로그에서는 HBM4용으로 NCF와 하이브리드 본딩을 함께 개발 중이라고 병기했고, 2026-03 GTC에서는 하이브리드 본딩을 "차세대 HBM 16단 이상"용으로 제시했다.

즉 삼성이 HBM4에 무엇을 썼는지는 공식적으로 확인되지 않는다. 이 자리에 추측을 채워 넣지 않는다.

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