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TC-NCF(Thermal Compression Non-Conductive Film)는 다이를 한 장 올릴 때마다 그 사이에 비전도성 필름을 깔고 열과 압력으로 눌러 붙이는 접합 방식이다. MR-MUF가 다 쌓은 뒤 한 번에 채우는 것과 반대로, 층마다 처리한다.
층마다 다루므로 각 층의 두께와 정렬을 세밀하게 관리할 수 있다. 대신 층 수만큼 공정이 반복된다.
삼성은 2024-02 36GB HBM3E 12단을 발표하며 "advanced TC NCF"를 적용했다고 밝혔다. 칩 사이 간극을 7㎛까지 좁혀 HBM3 8단 대비 수직 밀도를 20% 이상 높였고, 신호용 범프와 방열용 범프의 크기를 다르게 적용했다고 설명했다. 이후 기술 블로그에서는 "접합부 간극을 효과적으로 채워 열 성능을 저해할 보이드가 없도록 한다"고 덧붙였다.
삼성의 2026-02 HBM4 출하 보도자료와 HBM4 제품 페이지는 TSV만 언급하고 접합 공법을 명시하지 않는다. 2024-08 기술 블로그에서는 HBM4용으로 NCF와 하이브리드 본딩을 함께 개발 중이라고 병기했고, 2026-03 GTC에서는 하이브리드 본딩을 "차세대 HBM 16단 이상"용으로 제시했다.
즉 삼성이 HBM4에 무엇을 썼는지는 공식적으로 확인되지 않는다. 이 자리에 추측을 채워 넣지 않는다.
이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.