M = Memory 메모리 반도체 · INDEX = 지수 · 삼성전자 · SK하이닉스 · 삼성전자우
iHBM은 SK하이닉스가 2026년 5월 26일 공개한 기술이다. 패키지 내부에 냉각 요소(ICE)를 심어 열을 빼낸다.
겨냥한 자리가 구체적이다 — 로직 다이와 D램을 잇는 D2D PHY 구간은 발열이 특히 심한데, 여기서 열저항을 30% 넘게 줄인다는 것이 회사 설명이다. 대상은 HBM5 및 차세대 제품이다.
HBM은 D램을 위로 쌓는다. 쌓을수록 두 가지가 나빠진다.
대역폭을 올리면 전력이 늘고, 전력이 늘면 열이 는다. 그래서 다음 세대 경쟁은 속도 숫자가 아니라 열을 어떻게 빼느냐에서 갈릴 수 있다.
삼성전자는 Computex 2026에서 공개한 HBM5 목업에 HPB(Heat Path Block) 냉각 구조를 넣었다(DS부문 CTO 발언).
두 회사가 서로 다른 이름의 구조를 같은 세대에 들고 나온다는 것 자체가, 이 문제가 실재한다는 신호다.
이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.