iHBM

iHBM은 SK하이닉스가 2026년 5월 26일 공개한 기술이다. 패키지 내부에 냉각 요소(ICE)를 심어 열을 빼낸다.

겨냥한 자리가 구체적이다 — 로직 다이와 D램을 잇는 D2D PHY 구간은 발열이 특히 심한데, 여기서 열저항을 30% 넘게 줄인다는 것이 회사 설명이다. 대상은 HBM5 및 차세대 제품이다.

왜 열이 다음 병목인가

HBM은 D램을 위로 쌓는다. 쌓을수록 두 가지가 나빠진다.

• 열이 빠져나갈 길이 길어진다. 맨 아래 다이의 열이 위로 지나 밖으로 나가야 한다.
• 다이가 얇아진다. 같은 높이 규격 안에 더 많이 넣으려면 한 장 한 장을 깎아야 하고, 얇으면 열에 더 약하다.

대역폭을 올리면 전력이 늘고, 전력이 늘면 열이 는다. 그래서 다음 세대 경쟁은 속도 숫자가 아니라 열을 어떻게 빼느냐에서 갈릴 수 있다.

삼성도 같은 문제를 다르게 푼다

삼성전자는 Computex 2026에서 공개한 HBM5 목업에 HPB(Heat Path Block) 냉각 구조를 넣었다(DS부문 CTO 발언).

두 회사가 서로 다른 이름의 구조를 같은 세대에 들고 나온다는 것 자체가, 이 문제가 실재한다는 신호다.

확인 못 한 것

• ICE의 구체적 구조와 냉매 여부 — 공식 자료에 상세가 없다.
• 양산 시점 — HBM5 대상이라는 것까지만 밝혔고, HBM5 자체의 일정이 공개되지 않았다.