MR-MUF

이 용어를 다룬 분석 — HBM을 붙이는 세 가지 방법 — MR-MUF, TC-NCF, 하이브리드 본딩 ↓

MR-MUF(Mass Reflow Molded UnderFill)는 HBM 스택을 만들 때 다이를 다 쌓아 올린 뒤 사이 공간을 액체 보호재로 한 번에 채우고 굳히는 방식이다.

비교 대상인 TC-NCF는 다이를 한 장 올릴 때마다 필름을 깔고 열과 압력을 준다. MR-MUF는 그 과정을 뒤로 미뤄 한 번에 처리한다. SK하이닉스는 이 방식이 열을 빼내는 데 유리하다고 설명한다 — 액체가 틈을 빈틈없이 채우기 때문이다.

Advanced MR-MUF는 그 개량판이다. SK하이닉스는 이를 통해 방열 성능이 10% 개선됐다고 밝혔고, 12단 HBM3E에서는 DRAM 칩 두께를 40% 줄여 12단을 8단과 같은 두께로 만들었다고 설명했다.

세 회사가 같은 정보를 주지 않는다

이 항목은 비교표가 구조적으로 비어 있다. SK하이닉스만 자사 접합 공법을 이름까지 밝혀 왔고, 마이크론은 HBM3E·HBM4 발표 어디에도 접합 공법을 적지 않는다. 삼성은 TC-NCF를 쓴다고 밝힌 적이 있으나 HBM4 세대에서는 명시하지 않았다.

빈칸은 기술이 없다는 뜻이 아니라 말을 안 했다는 뜻이다. 이 구분을 흐리면 "마이크론은 접합 기술이 없다"는 엉뚱한 결론이 나온다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

이 용어를 다룬 분석

차이로 보기

관련 용어

지수 화면에서 이어서 보기