DRAM

메모리 반도체 종류를 먼저 나누면, DRAM과 NAND는 메모리 소자·용도 기준의 큰 두 축이고 HBM은 DRAM 다이를 적층한 고대역폭 제품군이다. 이 페이지를 기준으로 보면 NAND는 전원을 꺼도 데이터를 보존하는 저장용 메모리, HBM은 DRAM의 폭과 적층을 확장한 가속기용 메모리다.

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 은 컴퓨터가 지금 쓰고 있는 데이터를 담아 두는 메모리다. 전원을 끊으면 내용이 사라진다.

셀 하나가 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개로 되어 있고, 캐패시터에 담긴 전하로 0과 1을 구분한다. 전하는 가만히 둬도 새기 때문에 주기적으로 다시 채워 줘야 한다 — 이 되채움(refresh)이 "Dynamic"이라는 이름의 유래다.

낸드와 비교하면 빠르지만 잊어버리고, 낸드는 느리지만 기억한다. 이 차이가 두 시장이 따로 도는 이유다.

왜 사이클을 크게 타나

첫째, 세 회사가 90%를 나눠 갖는다. TrendForce 집계 기준 2026년 1분기 삼성 38.5%, SK하이닉스 28.8%, 마이크론 22.4%다. 공급을 늘릴지 말지를 사실상 세 곳이 정한다.

둘째, 매출이 물량이 아니라 가격으로 움직인다. 같은 자료에서 2026년 1분기 DRAM 산업 매출은 전분기 대비 81% 늘었는데, 컨벤셔널 DRAM 계약가가 같은 기간 93~98% 올랐다. 즉 매출 증가의 거의 전부가 가격이었다.

이게 DRAM이 "수량 자산"이 아니라 "가격 자산" 에 가까운 이유다. 설비투자 결정이 1~2년 뒤 공급이 되고, 공급이 가격을 만들고, 가격이 매출을 만든다. 그 사이의 시차가 사이클의 길이를 정한다.

이 지수가 현물가·수출단가·capex를 각각 따로 보는 이유가 여기 있다. 셋은 같은 사이클의 서로 다른 구간을 비춘다.

규격 계보

표준은 JEDEC JC-42 위원회가 관장한다.

서버 주 메모리에서 DDR5 대역폭을 더 끌어올리는 모듈 계층은 MRDIMM에서 따로 다룬다.

지금 어디쯤인가

2026년 상반기는 HBM과 서버 DDR5로 캐파가 옮겨 가면서 일반 DRAM 공급이 조여진 국면이었다. HBM 확대는 생산 자원 배분을 통해 범용 DRAM 공급 증가를 제약할 수 있다. 전체 웨이퍼 증가와 공정 생산성 개선이 그 제약을 얼마나 상쇄하는지는 따로 확인해야 한다.

3분기·4분기 가격 전망 (2026-10-26)

머니투데이 2026-10-19 보도에 따르면 메리츠증권은 SK하이닉스의 3분기 D램 판가를 +22%, 낸드를 +15% 올랐다고 추정하고, JP모간은 4분기 D램 계약가격 인상률을 10~15%, 낸드를 15~20%로 올려 잡았다. 모두 증권사 추정이며 회사가 공시한 판매가가 아니다. 실제 평균판매가격 변동은 SK하이닉스가 2026-10-28 실적 발표에서 밝히는 범위로 확인하고, 그 수치로 이 항목을 고친다.

HBM 배분과 범용 DRAM 공급을 읽는 기준

HBM은 DRAM 다이를 적층한 제품군이고, 범용 DRAM은 서버·PC·모바일 등에서 쓰는 다른 DRAM 제품을 가리킨다. 같은 생산 자원을 배분할 때 HBM 웨이퍼 투입 비중이 높아지면 범용 제품에 돌아가는 자원을 제약할 수 있다. 다만 전체 웨이퍼 증가와 공정 생산성 개선이 이를 상쇄할 수 있으므로 비중과 절대 공급량을 함께 본다.

Micron HBM3E 공식 제품 자료는 적층 DRAM의 구조를 설명한다. TrendForce의 2026-06-02 전망에 있는 2026년 말 웨이퍼 비중 약 22%와 비트 공급 비중 약 9%는 분모가 다르며, 생산 실적이나 개별 제품 수율로 환산하지 않는다. 기존 전망을 배경 근거로 대조한 날짜는 2026-10-14다.