3D 낸드

이 용어를 다룬 분석 — HBF는 HBM 대체재가 아니다 — 두 연구가 찾은 AI 추론 메모리의 역할 분담 외 3편 ↓

3D 낸드는 플래시 메모리 셀을 평면에 늘어놓는 대신 수직으로 쌓아 올린 구조다. 평면에서 더 잘게 그리는 것이 물리적으로 막히자 위로 쌓기 시작했고, 지금은 300단을 넘겼다.

메모리 반도체의 큰 분류에서 NAND는 전원을 꺼도 데이터를 보존하는 저장용 메모리다. DRAM과 NAND를 나누는 기준, 그리고 HBM이 DRAM 다이를 적층한 제품군이라는 관계는 DRAM의 메모리 반도체 종류 설명에서 먼저 확인할 수 있다.

단수가 곧 원가다. 같은 웨이퍼에서 더 많은 비트가 나오기 때문이다. 그래서 "몇 단"이 이 분야의 대표 지표가 됐는데 — 여기에 함정이 있다.

회사마다 어디까지 밝히는지가 다르다

그래서 "삼성 V9 = 286단", "마이크론 G9 = 276단" 같은 숫자는 매체 보도다. 게다가 삼성 V9은 매체마다 286단과 290단으로 갈린다. 하나로 확정해 적는 글은 근거를 밝히지 않은 것이다.

2026-08-05 정정 — 삼성에 예외가 하나 생겼다. 삼성은 FMS 2026 기조연설에서 V10 BV-NAND 를 "400층 이상(more than 400 layers)" 이라고 발표문에 직접 적었다. 1세대(24단) 이후 삼성이 단수를 공식 문서에 쓴 첫 사례다. 이 페이지가 이전까지 "2세대 이후 어느 세대의 단수도 공식 발표문에 없다"고 적었던 것은 V10 발표 전 기준이었고, 지금은 위 표와 아래 삼성 세대표에 V10 을 반영했다. 다만 V2~V9 은 여전히 미공개이므로 원칙 자체가 바뀐 것은 아니다. → zHBM 문서에 같은 기조연설의 전체 내용을 정리했다. src: https://news.samsung.com/global/samsung-unveils-next-gen-3d-memory-vision-at-fms-2026-charting-the-future-of-ai-infrastructure

세대별 정리 — 공식 숫자만

SK하이닉스 (전 세대 공식)

키오시아 / 샌디스크 (공동 개발, 전 세대 공식)

삼성전자 (1세대와 10세대만 단수 공식, 나머지는 세대와 성능만)

마이크론

'V10' 이라는 이름을 두 회사가 같이 쓴다 — 단수는 다르다

2026년 8월 FMS 2026 에서 삼성과 SK하이닉스가 같은 주에 나란히 10세대를 공개했는데, 둘 다 이름이 V10 이고 단수는 다르다.

"V10 몇 단"이라고만 적힌 기사를 볼 때는 어느 회사의 V10인지부터 봐야 한다. 같은 자리에서 나온 나머지 발표(zHBM·HBF 포함)는 zHBM 문서에 모아 두었다.

단수 대신 밀도로 재면 순위가 달라진다

회사가 단수를 안 밝히거나 세는 법이 달라서, 밖에서는 분석기관이 칩을 뜯어(디캡) 잰다. 그때 나오는 값이 비트 밀도(Gb/mm²) 다 — 다이 1제곱밀리미터에 비트가 몇 개 들어갔나. 단수는 세로만 보지만 밀도는 세로·가로를 같이 본다.

아래는 회사 발표가 아니라 TechInsights 의 디캡 분석치다. 무엇을 한 층으로 세느냐의 정의는 분석기관이 정한 것이지 회사가 확인해 준 것이 아니다.

삼성 V9 의 밀도는 유료 구간이라 확인하지 못했다. 그래서 이 표로 3사 순위를 매길 수 없다 — 두 줄만 채워진 표다. 삼성이 9세대 TLC 를 발표하며 "비트 밀도 8세대 대비 약 50% 향상"이라고 쓴 것은 자사 세대 간 비교이지 타사와 같은 자로 잰 값이 아니다.

마이크론이 단수를 안 적기 시작한 이유가 여기 있다 — 회사는 "단수만으로 낸드를 설명하기엔 충분하지 않다"는 취지로 자사 블로그에 적었다. 같은 단수라도 셀 크기가 다르면 웨이퍼당 비트가 다르다.

단수·밀도의 미확정 값은 미확정 자료에 모아 두었다.

적층 구조를 부르는 이름이 회사마다 다르다

셀 아래에 주변 회로를 넣는 발상은 같은데 이름이 다르다.

• SK하이닉스 PUC(Peri Under Cell) — 여기에 Sideway Source를 더해 4D 낸드라고 부른다
• 마이크론 CuA(CMOS under Array)
• 키오시아·샌디스크 CBA(CMOS directly Bonded to Array) — 8세대부터. CMOS 웨이퍼와 셀 웨이퍼를 따로 만들어 구리로 직접 붙인다. 하이브리드 본딩의 낸드 판이고, HBM 쪽에서는 아직 아무도 양산에 못 넣은 방식을 낸드에서는 이미 쓰고 있다
• 삼성 — 채널홀 에칭(HARC), Designed Mold, TCMC 같은 개별 공정 이름을 쓴다

확인 못 한 것

여기 적힌 "확인하지 못했다"의 자리에 실제로 어떤 숫자가 도는지는 미확정 자료에 출처·날짜와 함께 모아 두었다. 값이 왜 갈리는지와, 무엇이 나오면 확정으로 옮기는지도 같이 적었다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

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바깥 매체가 쓴 글입니다. 회사 발표가 아니라 더 읽을거리로 둡니다 — 위 업체 트랙의 숫자는 이 기사들이 아니라 회사 공식 자료에서 온 것입니다.

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