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공급망·구조

메모리 공장

삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 메모리 팹이 어디에 있고 무엇을 만드는지. 회사가 공식 발표한 투자금액과 완공 시점만 모았다.

fab · 팹 라인 · 생산라인 · 메모리 팹 · M15X · 평택 캠퍼스 · 청주 캠퍼스
마지막 확인 · 2026-08-28연관 용어 · 8개근거와 원문 포함

이 용어를 다룬 분석 — SK하이닉스 인디애나 HBM 일정, 2028년 양산 계획이 2029년으로 바뀌었습니다 외 3편 ↓

메모리 팹이 어디에 있고 무엇을 만드는지를 모았다. 회사가 공식 발표한 것만 표에 넣는다. 팹별 웨이퍼 투입량은 거의 전부 비공개라 이 표에 없다.

삼성전자

위치만드는 것시점투자
평택 P1경기 평택3D V-NAND (64단)2015-05 착공 · 2017-07 양산2021년까지 30조원(화성 6조원 별도)
평택 P2경기 평택DRAM(EUV) + NAND + 파운드리2018-01 착공 · 2020-08 DRAM 가동30조원 이상
평택 P3~P5경기 평택확인 안 됨삼성 발표는 없음<br><small>계열 건설사 공시에 P4 마감공사 ~2027-04, P5 ~2027-07로 적혀 있다. 공사 종료일이지 가동일이 아니다.</small>확인 안 됨
시안 1·2중국 산시성V-NAND2014 양산(1공장) · 2018 증설(2공장)1차 70억 달러 · 2차 80억 달러
온양·천안충남후공정 — 온양은 HBM 팹으로 전환 중<br><small>온양 HBM 팹 5개 라인, 천안은 HBM 대응설비 증설·라인 현대화</small>확인 안 됨온양·천안 합계 56조원<br><small>2026-07-02 충청권 국민보고회 발표. 사업장 총액이라 HBM 몫이 따로 안 갈린다</small>
화성경기 화성DRAM (DDR4) — 1z, EUV 최초 적용2020-03 출하<br><small>회사 보도자료. 착공·준공일은 확인 안 됨</small>확인 안 됨<br><small>P1 항목의 "화성 6조원 별도"만 확인</small>
기흥경기 용인확인 안 됨확인 안 됨확인 안 됨

삼성전자 공식 보도자료와 사업장 자료에서는 P3 이후 평택 라인의 투자금액도 가동 시점도 확인하지 못했다. 시중의 "P4 50조원", "P5 80조원"은 확인된 범위에서는 매체 추정이다. 삼성 반도체 공식 사이트의 사업장 페이지는 파운드리 라인만 공개하고 메모리 팹 목록을 싣지 않는다.

온양·천안 56조원은 2026년 7월 2일 아산에서 열린 충청권 첨단산업 발전비전 국민보고회에서 나왔다. 이재용 회장이 온양캠퍼스를 "범용반도체 후공정 중심에서 글로벌 최첨단 HBM 팹으로 전환 중"이라고 말했다. 다만 이 56조원은 사업장 단위 총액이다. SK하이닉스 청주 P&T7(20조원)이나 마이크론 싱가포르(70억 달러)처럼 "이 팹은 HBM 후공정"이라고 잘라 말한 숫자와 성격이 달라, 나란히 놓고 비교할 수 없다. 라인별 용도와 가동 시점은 미확정 자료에 남겨 뒀다.

SK하이닉스

위치만드는 것시점투자
이천 M14경기 이천메모리 (월 20만 장 — 3사 유일의 공식 캐파 수치)2014-07 착공 · 2015-08 준공15조원
이천 M16경기 이천DRAM (EUV 첫 도입, 1a)2018-11 착공 · 2021-02 준공3조 5천억원
청주 M15충북 청주NAND2017-04 착공 · 2018-10 준공약 20조원 순차
청주 M15X충북 청주DRAM — HBM·서버용 DDR52024-04 착공 · 2025-11 준공건설비 5조 3천억원, 장기 20조원 이상
청주 P&T7충북 청주첨단 패키징(HBM 후공정)2026-04 착공 · 2027년 말 완공20조원 (2026-01 착공 보도 시 19조원)
청주 M17충북 청주NAND2027 착공 · 2029 상반기 완공80조원
용인 1기경기 용인AI·데이터센터·HPC용 고성능·고집적 반도체 <br><small>회사 표현 그대로다 — DRAM·HBM을 명시한 적이 없다</small>2025-02 착공 · 클린룸 오픈 2027-02<br><small>당초 2027-05에서 앞당김. 준공일은 미발표</small>1기 총 약 31조원<br><small>이 중 2030년까지 신규 21.6조원</small>
인디애나미국 웨스트라피엣HBM 후공정 + R&D<br><small>한국산 웨이퍼를 현지에서 패키징·테스트</small>2028-10 클린룸 · 2029 하반기 양산<br><small>2024년 발표의 2028 하반기 양산 계획에서 변경</small>40억 달러 초과<br><small>2024년 발표 38억7천만 달러</small>
우시·다롄·충칭중국충칭만 후공정으로 공식 확인(낸드 패키징·테스트, 2014-07 양산 시작). 우시·다롄은 확인 안 됨확인 안 됨확인 안 됨

인디애나 일정은 2026년 8월 착공 발표에서 바뀌었다. 2024년 투자협약의 양산 목표는 2028년 하반기였지만, 새 공식 일정은 2028년 10월 클린룸과 2029년 하반기 양산이다. 회사는 변경 이유를 설명하지 않았다. 착공·클린룸·장비 반입·고객 인증을 양산능력으로 미리 세지 않는다. 일정 변화 분석

충칭은 지분 매각 검토 보도가 나와 있다. 2026-08-07(현지) 블룸버그가 SK하이닉스의 충칭 후공정 공장 지분 매각 검토를 보도했다 — 규모 약 30억 달러(약 4조원), 인수 후보로 중국 펀드·현지 반도체 기업이 거론됐고 매각 뒤 소수 지분을 남길 수 있다는 내용이다. 회사는 확인해 주지 않았고, 보도 자체가 초기 단계이며 성사를 보장할 수 없다고 적었다. 검토 보도이지 결정이 아니므로 위 표의 칸은 고치지 않는다.

2026-06-29 SK하이닉스는 용인 600조 + 청주 100조 + 서남권 400조 = 총 1,100조원 중장기 투자를 공식 발표했다. 용인 클러스터는 팹 4기로 2033년 완공 목표이며, 당초 2045년에서 12년 앞당겼다.

마이크론

위치만드는 것시점투자
보이시 ID1미국 아이다호선단 DRAM (+HBM)2027년 양산미국 총 2,000억 달러에 포함
보이시 ID2미국 아이다호선단 DRAM, 완공 후 HBM 패키징 추진확인 안 됨상동
뉴욕 메가팹미국 오논다가선단 DRAM2026-01 기공1,000억 달러, 최대 4개 팹
매너서스미국 버지니아1α DRAM · DDR4 · LPDDR42026년 말 양산20억 달러 이상
히로시마일본1β·1γ DRAM + HBM (EUV 첫 도입 팹)증설 2026-07 착공, 장비 반입 2028년 2분기~1조 5천억 엔
싱가포르 HBM 패키징싱가포르HBM 첨단 패키징2025-01 착공 · 2026년 가동70억 달러
싱가포르 웨이퍼팹싱가포르NAND2026-01 착공 · 2028 하반기 양산240억 달러
대만 퉁뤄 P5대만 먀오리선단 DRAM·HBM인수 2026-03 · FY2028 출하인수가 18억 달러

이 표를 읽을 때

빈칸이 많다는 것 자체가 정보다. 삼성은 최근 팹을 공식 발표하지 않고, SK하이닉스는 국내 팹을 상세히 알리지만 중국 사업장은 거의 말하지 않으며, 마이크론은 미국·일본·싱가포르 신설을 가장 자세히 공개한다. 공개 수준의 차이는 규제 환경과 IR 관행의 차이이지 설비의 차이가 아니다.

예외가 하나 있다. 미국에 짓는 팹은 상대적으로 훤히 보인다미국 CHIPS Act 보조금을 받으면 사업 범위·금액·조건이 정부 문서로 공개되기 때문이다. 3사 모두 최종 확정을 받았고, 그 대가로 5년간 자사주 매입이 묶여 있다.

팹 전체를 지도처럼 한 장에 놓고 보려면 메모리 판도 페이지가 낫다. 증설 계획을 연도순으로 늘어놓은 캘린더도 거기 있다.

확인 못 한 것

여기 적힌 "확인하지 못했다"의 자리에 실제로 어떤 숫자가 도는지미확정 자료에 출처·날짜와 함께 모아 두었다. 값이 왜 갈리는지와, 무엇이 나오면 확정으로 옮기는지도 같이 적었다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

삼성전자

언제 들어왔나평택 P1 2015-05 착공, 2017-07 양산. 시안 1공장 2014년 V-NAND 양산
지금 어디까지공식 문서로 확인되는 최근 메모리 팹 발표는 2020-08 평택 P2 가동이 마지막이다
뭘 하겠다고 했나확인 안 됨 — P3 이후 공식 발표 없음
보도

회사가 확인한 내용이 아닙니다. 매체가 그렇게 보도했다는 기록입니다.

  • 서울경제 · 2026-04-23 · 평택 P4를 반년 앞당겨 완전 가동하고 P5는 단일 팹 80조원 규모로 추진한다고 보도 원문
  • 전자신문 · 2026-03-29 · 시안 공장이 236단 8세대 낸드 전환을 마쳤고 삼성 전체 낸드의 약 40%를 담당한다고 보도 원문

SK하이닉스

언제 들어왔나2015-08 이천 M14 준공(15조원, 월 20만 장). 3사 중 팹 정보를 가장 자세히 공개한다
지금 어디까지청주 M15X 2025-11 준공으로 HBM·DDR5 라인 확보. 용인 1기 팹 건설 중 — 첫 클린룸 오픈을 2027-05에서 2027-02로 앞당긴다고 발표했다(무엇을 만드는지는 "AI·데이터센터·HPC용 고성능·고집적 반도체"까지만 밝혔다). 청주 P&T7(첨단 패키징) 2026-04 착공. 인디애나 HBM 후공정은 2026-08 착공
뭘 하겠다고 했나인디애나 2028-10 클린룸·2029 하반기 양산. 2026-06-29 총 1,100조원 투자 발표 — 용인 600조(팹 4기, 2033년 완공) · 청주 100조(M17 낸드 80조 + P&T7 20조) · 서남권 400조(부지 미정)

마이크론

언제 들어왔나미국·일본·싱가포르·대만에 생산거점을 두고 있다고 10-K에 기재
지금 어디까지뉴욕 메가팹 2026-01 기공(1,000억 달러), 싱가포르 NAND 팹 2026-01 착공(240억 달러), 히로시마 증설 2026-07 착공, 대만 퉁뤄 P5 2026-03 인수 완료
뭘 하겠다고 했나보이시 ID1에서 2027년 DRAM 산출 개시. 퉁뤄 2차 클린룸 FY2026 내 착공. 미국 총 2,000억 달러 투자

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바깥 매체가 쓴 글입니다. 회사 발표가 아니라 더 읽을거리로 둡니다 — 위 업체 트랙의 숫자는 이 기사들이 아니라 회사 공식 자료에서 온 것입니다.

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