M = Memory 메모리 반도체 · INDEX = 지수 · 삼성전자 · SK하이닉스 · 삼성전자우
누가 어디서 무엇을 만들고, 기술은 어디로 가고, 중국은 어디까지 왔나.
메모리 업계 자료의 상당수는 추정치를 사실처럼 적는다. 삼성 평택 P4가 무엇을 만드는지 회사가 공식으로 말한 적이 없는데, 검색하면 단정하는 글이 수십 개 나온다. 여기서는 찾아보고 없으면 없다고 적었다. 값마다 어디까지가 근거인지 배지로 붙어 있고, 배지를 누르면 원문으로 간다.
HBM 세대별로 베이스 다이를 무엇으로 만드는가. HBM4에서 이 값이 D램 공정에서 로직 공정으로 넘어갔고, 그때부터 메모리 회사의 일정이 파운드리에 걸리기 시작했다.
| HBM3E | HBM4 | HBM4E | HBM5 | |
|---|---|---|---|---|
| 베이스 다이 (로직 다이) | ||||
| SK하이닉스 | 자사 D램 공정 보도 | TSMC 첨단 로직 공정 노드 미공개 공식 | TSMC 협업 지속 보도 | 확인 못 함 |
| 삼성전자 | 자사 D램 공정 보도 | 자체 파운드리 4nm 공식 | 자체 파운드리 4nm 공식 | 2nm GAA 발언 |
| 마이크론 | 자사 D램 공정 보도 | 자체 베이스 다이 발언 | TSMC 위탁 발언 | 확인 못 함 |
| D램 코어 다이 | ||||
| SK하이닉스 | 확인 못 함 | 1b (5세대 10나노급) 공식 | "성숙하고 검증된 최적 노드" 발언 | 확인 못 함 |
| 삼성전자 | 확인 못 함 | 1c (6세대 10나노급) 공식 | 1c 공식 | 확인 못 함 |
| 마이크론 | 1β 공식 | 1β 보도 | 확인 못 함 | 확인 못 함 |
| JEDEC 표준 | ||||
| 규격 | JESD238B.01 공식 | JESD270-4A 2048비트 · 최대 8Gb/s/핀 · 스택당 2TB/s 공식 | 표준 없음 제조사 명칭이다 없음 | 표준 없음 제조사 명칭이다 없음 |
HBM3E까지 베이스 다이는 D램 공정으로 만드는 D램 회사의 물건이었다. HBM4부터 그것이 로직 공정으로 넘어갔다. SK하이닉스는 TSMC의 첨단 로직 공정을 쓴다고 공식 확인했고, 삼성은 자체 파운드리 4nm를 쓴다고 공식 확인했다. 마이크론만 HBM4까지 자체로 만들고 HBM4E부터 TSMC에 맡긴다고 밝혔다.
그래서 이제 메모리 회사의 HBM 원가와 일정이 파운드리에 걸린다. SK하이닉스에게는 외부 의존이 생겼고, 삼성은 같은 사실을 「턴키」라고 부른다.
삼성전자 파운드리 기술개발실장이 2026년 7월 27일 인터뷰에서 HBM5 베이스 다이에 GAA 구조 2나노 공정을 적용하겠다고 말했다. 그에 앞서 6월 2일 Computex에서 DS부문 CTO가 2nm 베이스 다이를 쓴 HBM5 목업을 공개했다(적층 수는 미확정, 최대 20단 검토 중).
다만 이건 삼성의 계획이지 업계가 합의한 요구 사양이 아니다. SK하이닉스는 HBM5 베이스 다이 노드를 아직 밝히지 않았고, JEDEC에 HBM5 표준은 존재하지 않는다. "HBM5는 2나노가 필요하다"고 단정한 글을 보면 그 근거가 삼성 발언 하나인지 확인해 보는 게 좋다.
당초 HBM4부터 적용될 것으로 예상됐으나 HBM4E 또는 그 이후로 밀렸고, 최근에는 HBM5 세대부터라는 이야기가 나온다. 어느 회사도 공식으로 세대를 못박지 않았다. SK하이닉스는 2분기 실적발표에서 "하이브리드 본딩에 더해 HBM5 같은 미래 제품의 방열을 위해 iHBM을 개발 중"이라고만 말했다.
매체마다 12nm · 7nm · 3nm로 완전히 갈린다. SK하이닉스도 TSMC도 노드를 공개한 적이 없다. 어느 숫자를 골라도 근거가 없어서, 여기서는 비워 뒀다.
2026년 8월 3~4일 SK하이닉스와 샌디스크가 HBF(고대역폭 플래시)의 첫 표준 규격을 공개했다. HBM이 D램을 쌓는 것이라면 HBF는 낸드를 쌓는 것이고, 자리는 HBM과 SSD 사이다. 낸드 다이 8·16단으로 최대 512GB, 대역폭은 0.4~3.0TB/s 3개 등급, 인터페이스는 UCIe다.
표준화 주체가 JEDEC이 아니라 OCP이고, 표준 만들기에 구글과 텐스토렌트가 들어와 있다 — 메모리를 사는 쪽이 규격을 함께 만든다는 뜻이다. 삼성전자는 이 진영에 없고, 같은 자리에서 3D D램과 zHBM을 내세웠다.
자세한 것은 HBF 항목에 적어 두었다.
"삼성이랑 SK하이닉스 중에 누가 앞서 있냐" — 이 사이트에 오는 사람이 가장 많이 묻는 질문이고, 정직하게 답하기 가장 어려운 질문이기도 하다.
세 회사의 "세계 최초"가 전부 다른 것을 가리키기 때문이다. GDDR7만 봐도 마이크론은 속도 측정 최초, 삼성은 용량 최초, SK하이닉스는 "최고 성능"(최초라고 하지 않는다)을 주장한다. LPDDR6는 삼성이 제품 최초, SK하이닉스가 공정 최초다. 이걸 한 줄에 세워 순위를 매기는 순간 거짓말이 된다.
그래서 아래는 순위표가 아니라 연표다. 각 회사가 무엇을 언제 발표했는지, 회사가 쓴 표현 그대로 놓았다. 판단은 읽는 분 몫이다.
AI 가속기에 들어가는 지금의 주력. 여기가 이번 사이클의 본진이다.
| SK하이닉스 | 2025-09-12 세계 최초 개발 완료 발표 (1b 코어 다이) 2026년 2분기 본격 출하 시작 공식 |
|---|---|
| 삼성전자 | 2026-02-12 업계 최초 상용 HBM4 출하 베이스 다이 자체 파운드리 4nm · 코어 1c · 최대 13Gbps 공식 |
| 마이크론 | 2026-03-16 HBM4 대량 양산 — 엔비디아 Vera Rubin 용 11Gbps 이상 · 스택당 2.8TB/s 이상 공식 |
세 회사의 발표가 서로 다른 것을 가리킨다 — 개발 완료, 상용 출하, 대량 양산. 날짜만 보고 순서를 매기면 안 된다.
다음 세대. 2026년 상반기에 샘플이 오갔다.
| 삼성전자 | 2026-05-29 업계 최초 HBM4E 샘플 출하 베이스 다이 4nm · 코어 1c · 14Gbps · 3.6TB/s 공식 |
|---|---|
| SK하이닉스 | 2026-06-18 12단 48GB 샘플 출하 최대 16Gbps · Advanced MR-MUF 로 열저항 17% 감소 공식 |
| 마이크론 | 2027년경 · 베이스 다이를 TSMC 에 위탁한다고 밝혔다 발언 |
JEDEC 에 HBM4E 표준은 없다. 세 회사가 각자 부르는 이름이고, 규격이 확정되기 전 단계다.
여기서는 단수가 곧 실력이 아니다 — 프레임 자체가 갈리는 중이다.
| SK하이닉스 | 2025-08-25 321단 QLC 양산 (세계 최초 300단 이상) 2026-08-04 V10 375단 웨이퍼 최초 공개 공식 |
|---|---|
| 키오시아·샌디스크 | 2026-07 BiCS 10세대 332단 CBA 생산 개시 단수는 낮지만 비트 밀도가 더 높다고 주장한다 공식 |
| 삼성전자 | 2024-09-12 업계 최초 QLC 9세대 V-NAND · 1Tb 단일 칩 단수를 공개하지 않는 회사다 공식 |
삼성·마이크론은 낸드 단수를 공개하지 않는다. "삼성 몇 단"이라고 적힌 글은 전부 매체 추정이고, 매체마다 값이 다르다.
HBM4에서 갈린 지점. 여기가 앞으로 원가와 일정을 가른다.
| 삼성전자 | 자체 파운드리 — HBM4·HBM4E 4nm, HBM5 는 2nm GAA 계획 메모리·파운드리·패키징을 묶는 턴키를 내세운다 공식 |
|---|---|
| SK하이닉스 | TSMC 첨단 로직 공정 — HBM4부터. 노드는 공개하지 않는다 TSMC CoWoS 와의 통합 최적화도 함께 합의했다 공식 |
| 마이크론 | HBM4 까지 자체, HBM4E 부터 TSMC 위탁 발언 |
자체냐 위탁이냐에 정답은 없다. 자체는 통제력을, 위탁은 공정 수준을 얻는다. 다만 세 회사 다 결국 로직 공정이 필요해졌다는 것은 같다.
팹의 위치·생산 품목·공정 노드·가동 시점. 웨이퍼 월 투입량은 세 회사 누구도 공개하지 않는다 — 시중에 도는 "월 몇만 장"은 전부 추정치라 여기 싣지 않았다.
공식 문서로 확인되는 마지막 평택 메모리 라인 발표는 2020년 8월 P2 LPDDR5 양산이다. P3·P4·P5는 삼성전자가 발표한 적이 없고, 계열 건설사의 법정 공시에 팹 이름이 적혀 있을 뿐이다. 공시에 있는 것은 공사 계약명·금액·공기뿐 — 무엇을 만드는지, 어떤 공정인지, 언제 도는지는 어디에도 없다.
3사 중 증설 계획을 공식 문서로 가장 많이 내는 회사다. 금액·착공·완공 목표가 보도자료에 그대로 적혀 있다. 반대로 연간 capex 금액은 끝까지 밝히지 않는다.
클린룸 면적(sqft)을 공개하는 유일한 회사다. 삼성·SK하이닉스는 건축면적만 낸다. 그래도 웨이퍼 월 투입량은 마이크론도 밝히지 않는다.
회사가 스스로 날짜를 말한 것만 놓았다. 연도는 발표된 목표 시점이지 확정이 아니다.
공통 조건은 5년간 자사주 매입 제한과 마일스톤 연동 지급이다. SK하이닉스에만 2030년대 초 무탄소 전력·PFAS 관리 같은 환경 조건이 더 붙어 있다.
두 나라 회사를 한 칸에 넣으면 안 된다. DRAM과 NAND는 제재가 걸리는 방식이 다르다.
2026년 7월 27일 상하이 커촹반 상장. 조달액 약 579억 위안 — 커촹반 사상 최대.
| 현재 제품 | DDR5 최고 8000Mbps · LPDDR5X 최고 10667Mbps 공식 발표 공식 |
|---|---|
| 공정 노드 | 확인 못 함 |
| HBM | 양산 발표 없음. IPO 서류에서 3사 대비 격차를 스스로 인정하고 상용화 일정을 제시하지 않았다 보도 |
| 매출 구성 | LPDDR 66.4% + DDR 31.9% — 98% 이상이 범용 DRAM 보도 |
| 생산능력 | 확인 못 함 |
| 제재 | 본체는 미 상무부 Entity List에 없다. 다만 HBM이 통제 품목으로 신설돼 대중 수출이 막혀 있고 EUV도 못 산다 공식 |
겹치는 곳은 선단이 아니라 범용이다. DDR4/LPDDR4X만 하던 회사가 DDR5-8000, LPDDR5X-10667까지 올라왔다. 이건 삼성·SK하이닉스의 모바일·PC·범용 서버 물량과 직접 부딪힌다.
HBM에서는 아직 안 겹친다. 회사 스스로 격차를 인정했고 일정도 안 냈다. 다만 2026년의 진짜 변화는 기술이 아니라 돈이다 — 579억 위안이 들어왔고, 그건 앞으로의 증설 재원이다.
비상장. 2026년 5월 커촹반 IPO 사전지도 절차를 시작했다.
두 회사는 일본 욧카이치·기타카미 공장을 합작(Flash Ventures)으로 함께 돌린다. 파트너십을 2034년까지 연장했다.
| 현재 제품 | 10세대 BiCS 332단 CBA 생산 개시·샘플 출하 (2026-07) 공식 |
|---|---|
| 증산 태도 | 키오시아 2026년 비트 그로스 한 자릿수 초반%. "가격·수익 우선, 무분별한 증산 거부" 공식 |
| SK하이닉스와의 관계 | SK하이닉스가 키오시아 지분 약 14%로 사실상 2대 주주. 샌디스크와는 HBF를 공동 표준화 중 보도 |
경쟁자이면서 동시에 공급 규율을 지켜 주는 쪽이다. 키오시아가 증산을 자제하겠다고 공식으로 말하는 것은 한국 3사에게 나쁜 소식이 아니다.
지분과 표준으로 보면 경계가 더 흐리다. SK하이닉스는 키오시아의 실질 2대 주주이고, 샌디스크와는 HBF를 함께 만들고 있다. NAND 진영에서 한국·일본·미국의 선이 지워지는 중이고, 바깥에 남은 것은 중국뿐이다.
조사 기준일 2026-08-04. 낱말 하나하나의 뜻은 용어 위키에 있습니다.
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