M = Memory 메모리 반도체 · INDEX = 지수 · 삼성전자 · SK하이닉스 · 삼성전자우
zHBM 은 HBM을 가속기 옆이 아니라 위에 수직으로 쌓는 구조다. 삼성전자가 2026년 8월 5일 FMS 2026 기조연설에서 "업계 최초 컨셉 모델"로 공개했다.
지금까지 HBM은 GPU 옆에 나란히 놓이고 인터포저로 연결됐다. zHBM은 그 배치를 세로로 바꾼다. 데이터가 오가는 거리가 짧아지므로 대역폭이 오르고 전력이 내려간다는 것이 삼성의 설명이다.
기준은 HBM5 대비다.
| 항목 | 삼성 발표 |
|---|---|
| 성능(대역폭) | 약 8배 |
| 메모리 밀도 | 10배 이상 |
| 에너지 효율 | 3배 |
| 열 저항 | 50% 이상 감소 |
세 가지를 같이 봐야 한다.
① 비교 대상이 아직 규격으로 없다. JEDEC JC-42.2 문서 목록에 HBM5 규격은 없다. HBM4까지가 표준(JESD270-4A)이고 HBM4E도 아직이다. 즉 "HBM5 대비 8배"는 아직 표준이 정해지지 않은 제품을 기준으로 삼은 값이다. 삼성이 상정한 HBM5가 무엇인지는 발표문에 없다.
② 제품이 아니라 컨셉 모델이다. 삼성은 "concept models" 라고 적었고, 일정으로 밝힌 것은 "고객과 협력해 최적화를 진행한다"까지다. 양산 시점·샘플 시점·고객사 어느 것도 발표문에 없다.
③ 본딩 방식과 인터커넥트가 공개되지 않았다. 로직 위에 D램을 직접 쌓으려면 하이브리드 본딩이 사실상 전제인데, 발표문에도 현장 보도에도 본딩 방식이 적히지 않았다. 공개된 것은 "메모리 스택과 가속기 사이 중간층에 맞춤 IP를 넣을 수 있다"는 설명까지다.
삼성은 같은 기조연설에서 V10 BV-NAND 도 공개했다.
낸드 쪽에서는 웨이퍼 본딩이 이미 키오시아·샌디스크 CBA로 양산에 들어가 있다. 삼성이 V10에서 같은 계열로 넘어온다는 뜻이다. 삼성이 단수를 발표문에 적은 것은 드문 일이다 — 9세대까지는 "업계 최고 적층 수"라고만 썼다.
같은 주에 SK하이닉스는 V10 375층 웨이퍼를 공개했다. 두 회사가 같은 'V10' 이름을 쓰지만 단수가 다르다 — 400+ 와 375 다.
FMS 2026 에서 두 갈래가 나란히 섰다.
| 무엇 | 누가 | |
|---|---|---|
| HBF | 낸드를 쌓아 용량으로 간다 | SK하이닉스 · 샌디스크 (OCP 표준, 구글·텐스토렌트 참여) |
| zHBM · 3D D램 | D램을 로직 위에 쌓아 대역폭으로 간다 | 삼성전자 |
둘은 배타적이지 않다. 노리는 병목이 다르다 — HBF는 용량, zHBM은 대역폭과 전력이다. 다만 현재 공개된 HBF 참여사 명단에서 삼성을 확인하지 못했고, zHBM 쪽에 SK하이닉스가 참여한다는 자료도 확인하지 못했다.
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