zHBM

zHBM 은 HBM을 가속기 옆이 아니라 위에 수직으로 쌓는 구조다. 삼성전자가 2026년 8월 5일 FMS 2026 기조연설에서 "업계 최초 컨셉 모델"로 공개했다.

지금까지 HBM은 GPU 옆에 나란히 놓이고 인터포저로 연결됐다. zHBM은 그 배치를 세로로 바꾼다. 데이터가 오가는 거리가 짧아지므로 대역폭이 오르고 전력이 내려간다는 것이 삼성의 설명이다.

삼성이 발표문에 적은 숫자

기준은 HBM5 대비다.

여기서 삼성의 성능을 단순 대역폭과 동일시하지 않는다. 2026년 8월 20일 후속자료가 제시한 4~8배는 HBM5 대비 성능 전망이며, 측정 방법·조건과 대역폭 단위는 공개되지 않았다.

이 표의 수치는 발표일·대상·마지막 검증일을 함께 기록한 값이다. 측정 방법·조건, HBM5 기준 사양, 샘플/양산 시점, 고객, 독립 검증은 미확정이다.

⚠ 이 숫자를 지금 어떻게 읽어야 하나

세 가지를 같이 봐야 한다.

① 비교 대상이 아직 규격으로 없다. JEDEC JC-42.2 문서 목록에 HBM5 규격은 없다. HBM4까지가 표준(JESD270-4A)이고 HBM4E도 아직이다. 즉 "HBM5 대비 4~8배"는 아직 표준이 정해지지 않은 제품을 기준으로 삼은 값이다. 삼성이 상정한 HBM5가 무엇인지는 발표문에 없다.

② 제품이 아니라 컨셉 모델이다. 삼성은 "concept models" 라고 적었고, 일정으로 밝힌 것은 "고객과 협력해 최적화를 진행한다"까지다. 양산 시점·샘플 시점·고객사 어느 것도 발표문에 없다.

③ 본딩 방식은 삼성 후속자료에서 일부 공개됐다. 삼성전자는 2026년 8월 20일 후속자료에서 zHBM 구현에 HCB(하이브리드 구리 본딩)와 multi-wafer bonding을 적용한다고 밝혔다. 이는 삼성 자체 발표이며, 독립 검증과 구체적인 인터페이스 조건은 미확인이다. 공개된 것은 "메모리 스택과 가속기 사이 중간층에 맞춤 IP를 넣을 수 있다"는 설명까지다.

같은 자리에서 나온 낸드 — V10 BV-NAND

삼성은 같은 기조연설에서 V10 BV-NAND 도 공개했다.

• 400층 이상
• 이전 세대(V9) 대비 메모리 밀도 약 58% 증가
• 웨이퍼 본딩으로 셀을 쌓는 구조 ("Bonding V-NAND")

낸드 쪽에서는 웨이퍼 본딩이 이미 키오시아·샌디스크 CBA로 양산에 들어가 있다. 삼성이 V10에서 같은 계열로 넘어온다는 뜻이다. 삼성이 단수를 발표문에 적은 것은 드문 일이다 — 1세대(24단) 이후로는 처음이고, 2~9세대는 "업계 최고 적층 수"라고만 썼다. 세대별로 어디까지 밝혔는지는 3D 낸드 문서의 회사별 표에 정리해 두었다.

같은 주에 SK하이닉스는 10세대(V10) 375층 4D 낸드를 공개했다(2026-08-04, FMS 2026 HBF 발표문). 전세대 대비 와트당 성능 2.5배이고, 이 낸드 기반 eSSD 를 2027년 초 양산할 계획이라고 밝혔다. 회사 발표문의 영문 표기는 "375-layer" 이고, 3D 낸드 문서의 세대표에서는 다른 세대와 단위를 맞춰 375단으로 적었다 — 같은 값이다.

두 회사가 같은 'V10' 이름을 쓰지만 단수가 다르다 — 400+ 와 375 다. 어느 쪽도 상대의 숫자를 확인해 준 적이 없고, 세는 기준이 같은지도 공개되지 않았다.

진영이 갈린다

FMS 2026 에서 두 갈래가 나란히 섰다.

둘은 배타적이지 않다. 노리는 병목이 다르다 — HBF는 용량, zHBM은 대역폭과 전력이다. 다만 현재 공개된 HBF 참여사 명단에서 삼성을 확인하지 못했고, zHBM 쪽에 SK하이닉스가 참여한다는 자료도 확인하지 못했다.

확인 못 한 것

• 양산·샘플 일정 — 발표문에 없다
• 본딩의 독립 검증·구체 인터페이스 조건 — 삼성 후속자료는 HCB·multi-wafer bonding을 밝혔지만, 독립 검증과 구체 조건은 미확인
• 고객사 — "고객과 협력" 까지만 있다
• 삼성이 상정한 HBM5 의 사양 — 비교의 기준값이 무엇인지 없다. 이것이 없으면 4~8배·10배는 검증할 수 없는 숫자다
• 가격·원가 — 없다

트렌드 요약 · Today/PULSE 연결

• 한줄 정의: zHBM은 HBM을 가속기 옆이 아니라 로직 위에 수직 적층하는 삼성전자의 컨셉 모델이다.
• 왜 중요한가: 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭·전력·면적 병목을 동시에 바꾸려는 3D 메모리 방향을 보여 준다.
• 공급망 위치: 가속기 로직 → 다이 간 연결·맞춤 IP → 3D 적층·본딩 → 열 관리 사이에 있다.
• 관련 기업·지표: 삼성전자의 샘플·양산 일정, 본딩 방식, 실제 고객과 기준이 될 HBM5 규격 공개를 본다.
• 혼동 용어: zHBM은 공개된 표준 제품이 아니라 컨셉이고, HBF는 낸드 기반 용량 확장을 노리는 별도 규격이다.
• 최근 변화: 2026년 8월 20일 삼성 후속자료가 zHBM 구현에 HCB·multi-wafer bonding을 적용한다고 공개했다. 삼성 자체 발표이며 독립 검증·구체 인터페이스 조건은 미확인이다. 다음 확인일은 2026-08-25 Hot Chips다.
• 출처·갱신일: 삼성전자 후속 공식자료(2026-08-20)와 FMS 2026·SK하이닉스 공식 발표 기준으로 2026-08-22 갱신.
• 이어읽기: 맞춤과 표준, 반대 방향 · 오늘의 지수 · 하이브리드 본딩 · HBF