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HBF(High Bandwidth Flash, 고대역폭 플래시) 는 HBM이 D램을 수직으로 쌓듯 낸드를 수직으로 쌓아 대역폭을 끌어올린 메모리다. 놓이는 자리는 HBM과 SSD 사이다.
2026년 8월 3~4일, SK하이닉스와 샌디스크가 HBF의 첫 표준 규격을 공개했다. 표준화 착수 6개월 만이다.
SK하이닉스가 밝힌 규격의 뼈대다.
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 용량 | 낸드 다이 8단 / 16단 스택, 최대 512GB |
| 대역폭 | 성능 3개 등급, 약 0.4TB/s ~ 3.0TB/s |
| 인터페이스 | UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) |
| 그 밖에 | 전기적 특성, 신뢰성 가이드라인, 다이 스택 패키징 표준, 소프트웨어 I/O 가이드 |
UCIe를 채택했다는 것이 중요하다. 특정 회사의 GPU에 묶이지 않고 여러 프로세서와 붙을 수 있는 길을 열어 둔 것이다.
여기가 헷갈리기 쉬운 지점이다. HBM은 JEDEC 표준이지만 HBF는 OCP(Open Compute Project) 표준이다. JEDEC 문서 목록에 HBF 항목은 없다.
OCP는 데이터센터 사업자들이 하드웨어 규격을 공개로 만드는 단체다. 주 기여자는 샌디스크와 SK하이닉스이고, 표준화 과정에 구글과 텐스토렌트가 합류해 기술 검증에 참여했다. 메모리 회사가 아니라 메모리를 사는 쪽이 표준 만들기에 들어와 있다는 점이 이 규격의 성격을 말해 준다.
AI 추론에서 병목은 속도만이 아니라 용량이다. 모델 가중치와 KV 캐시를 다 담으려면 HBM이 모자라고, HBM을 더 붙이려면 가속기 수를 늘려야 하는데 그러면 전력과 비용이 따라 올라간다.
여기서 낸드의 약점이 덜 아파진다는 것이 HBF의 착안점이다. 가중치와 KV 캐시는 대부분 읽기만 한다. 낸드가 느린 것은 주로 쓰기 쪽이라, 읽기 중심 데이터를 낸드에 두면 손해가 작다.
샌디스크와 SK하이닉스가 2025년 8월 협력을 시작할 때 내건 목표가 이것이었다.
HBM 대비 8~16배 용량을, 비슷한 원가로. 대역폭은 HBM에 필적(comparable).
기반 기술은 샌디스크의 BiCS 낸드와 CBA 웨이퍼 본딩이다.
| 시점 | 일 |
|---|---|
| 2025-08-06 | 샌디스크–SK하이닉스 MOU. 첫 샘플 2026년 하반기, 탑재 기기 2027년 초 목표 |
| 2025-10-27 | SK하이닉스, OCP Global Summit에서 AIN Family 공개. 그중 AIN B가 HBF 기반 |
| 2026-02-25 | OCP 산하 공동 워크스트림 발족 — 글로벌 표준화 착수 |
| 2026-08-03/04 | 첫 OCP 기술 규격 공개 |
삼성전자는 HBF 진영에 없다. 같은 자리(FMS 2026)에서 삼성은 HBF가 아니라 3D D램과 zHBM(GPU와 HBM을 3D로 쌓는 구조)을 내세웠다(파이낸셜뉴스 2026-08-04). 삼성의 HBF 공식 발표는 확인되지 않는다.
키오시아도 HBF 표준에 참여하지 않고, XL-FLASH 기반 CXL 메모리 모듈과 GP1 시리즈로 자체 노선을 간다. 마이크론의 입장은 확인 못 했다.
이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.
회사가 실적발표 자리에서 한 말입니다. 회사 홈페이지 문서로는 확인되지 않습니다.
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바깥 매체가 쓴 글입니다. 회사 발표가 아니라 더 읽을거리로 둡니다 — 위 업체 트랙의 숫자는 이 기사들이 아니라 회사 공식 자료에서 온 것입니다.