M = Memory 메모리 반도체 · INDEX = 지수 · 삼성전자 · SK하이닉스 · 삼성전자우
HBM4는 HBM의 여섯 번째 세대다. JEDEC이 2025-04-16 표준 문서 JESD270-4로 공표했다.
| 항목 | 값 |
|---|---|
| 인터페이스 폭 | 2,048비트 (HBM3의 2배) |
| 핀당 데이터 전송률 | 최대 8 Gb/s |
| 스택당 대역폭 | 최대 2 TB/s |
| 채널 | 32채널, 채널당 의사채널 2 |
| 스택 단수 | 4·8·12·16단 |
| 다이 밀도 | 24Gb 또는 32Gb |
| 스택당 최대 용량 | 64GB (32Gb 16단) |
이 세대의 핵심은 폭이다. 핀당 속도는 HBM3의 6.4 Gb/s에서 8 Gb/s로 조금 올랐을 뿐인데 대역폭이 2.4배가 됐다.
폭이 두 배가 되면서 베이스 다이가 정리해야 할 신호가 두 배가 됐고, 세 회사가 베이스 다이를 로직 파운드리 공정으로 옮긴 계기가 됐다. 다만 JEDEC 표준에 베이스 다이 공정 규정은 없다 — 회사의 선택이다.
JEDEC은 핀 수를 줄여 같은 처리량을 내는 SPHBM4 표준도 따로 준비 중이다. 표준 자체가 계속 움직인다는 뜻이다.
| 핀당 속도 | 스택당 대역폭 | 단수·용량 | 시점 | |
|---|---|---|---|---|
| 삼성전자 | 11.7 Gb/s 상시, 최대 13 Gb/s | 최대 3.3 TB/s | 12단 36GB (16단 확장 예정) | 2026-02 상용 출하 |
| SK하이닉스 | 10 Gb/s 초과(2025-09), 11.7 Gb/s(2026-01) | 2 TB/s (2025-06 시점) | 12단 36GB, 16단 48GB 개발 | 2025-09 개발 완료 |
| 마이크론 | 11.0 Gb/s 초과 | 2.8 TB/s 초과 | 12단 36GB, 16단 48GB 샘플 | 2026-03 본격 양산 |
표준이 8 Gb/s인데 회사들은 11 Gb/s대를 말한다. 규격을 어기는 게 아니라, 규격이 요구한 것보다 잘 만들었다는 뜻이다. 실제 출하품이 어느 등급인지는 고객과의 계약 사항이라 공개되지 않는다.
SK하이닉스의 대역폭 2 TB/s는 2025-06 시점 값이고, 이후 11.7 Gb/s 발표에 맞춰 갱신된 대역폭 수치는 공식 발표에서 확인되지 않는다. 곱해서 추산하지 않는다.
이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.