DRAM 공정 세대

이 용어를 다룬 분석 — HBF는 HBM 대체재가 아니다 — 두 연구가 찾은 AI 추론 메모리의 역할 분담 외 2편 ↓

DRAM은 10나노 아래로 내려간 뒤 "몇 나노"라고 부르는 것을 사실상 그만두었다. 대신 10나노급 안에서 세대를 나눠 이름을 붙인다.

문제는 회사마다 부르는 법이 다르다는 것이다. 이 페이지의 가장 큰 쓸모가 여기 있다 — 같은 표에 놓고 봐야 비교가 된다.

표를 읽을 때 주의할 것

삼성은 5세대를 "1b"라고 부른 적이 없다. 공식 명칭은 "12nm급"이고, 6세대를 "6세대 10나노급(1c)"이라고 부르므로 역산은 되지만 삼성이 그렇게 쓴 문서는 확인되지 않는다. 표의 삼성 5세대 칸에 "1b"를 적지 않은 이유다.

세대 이름이 같다고 트랜지스터 치수가 같은 것도 아니다. 각 사가 자체 기준으로 붙이는 이름이라, "누가 몇 세대까지 갔나"는 비교가 되지만 "누구 공정이 더 미세한가"는 이 표로 알 수 없다.

마이크론의 1c는 없다. 마이크론은 그리스 문자(α·β·γ·δ)를 쓰므로 1γ가 6세대에 해당한다. 한국 매체가 "마이크론 1c"라고 쓰는 경우가 있는데 마이크론의 표기가 아니다.

세대 전환이 왜 중요한가

같은 웨이퍼 한 장에서 나오는 칩 수가 늘기 때문이다. 세대가 한 칸 넘어가면 원가가 내려가고, 그래서 전환 속도가 늦은 회사는 같은 가격에 팔아도 이익이 적다. 수율이 나쁘면 전환이 늦어지므로, 전환 속도는 밖에서 볼 수 있는 몇 안 되는 실력 지표다.

HBM도 코어 다이는 결국 DRAM이라 이 세대를 따른다. 삼성은 HBM4 코어 다이에 1c를, SK하이닉스는 HBM4에 1b를 쓴다고 밝혔다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

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