EUV

EUV(Extreme Ultraviolet)는 파장 13.5나노미터의 빛으로 웨이퍼에 회로를 그리는 노광 기술이다. 기존 불화아르곤(ArF) 노광은 파장이 193나노미터라, 미세한 무늬를 그리려면 같은 자리를 여러 번 나눠 찍어야 했다(멀티 패터닝). EUV는 파장이 짧아 한 번에 그릴 수 있다 — 공정 단계가 줄고, 단계가 줄면 오차가 쌓일 자리도 준다.

대신 장비가 비싸고 대수가 제한된다. ASML 한 곳만 만든다.

세 회사의 시점이 크게 다르다

5년 차이는 뒤처진 것이 아니라 다른 선택이었다. 마이크론은 2022-11 1β를 발표하며 EUV를 쓰지 않았다고 명시했다 — "아직 초기 단계인 이 기술을 우회하기 위해 검증된 나노 제조·노광 역량을 활용했다"고 밝혔다. 즉 멀티 패터닝으로 1β까지 밀어붙였다는 뜻이다.

이 선택의 값과 대가는 지금도 계산 중이다. 장비 투자를 늦춘 만큼 자본지출을 아꼈지만, 공정 단계가 많으면 수율과 처리량에서 불리하다. 마이크론은 2026-06 실적에서 ASML과 다년 EUV 공급 계약을 맺고 1δ 이후 EUV 채택을 늘리겠다고 밝혔다.

2026-10-15 검증: 공급 전망의 장비 범위

ASML의 2026-10-14 공식 실적 발표 1~2페이지에서 회사는 계획된 2027~2028년 공급이 고객의 수요 예상에 미치지 못할 것으로 보고 추가 생산능력 확대를 검토한다고 설명했다. 주석이 지정하는 생산능력 확대 범위는 low-NA EUV와 DUV immersion이다. 이를 High-NA 장비 대수나 특정 DRAM 제조사에 대한 공급 계약으로 읽지 않는다.

기존 설치 장비의 생산성 업그레이드도 웨이퍼 처리 능력을 높이는 경로다. 따라서 노광 생산능력의 변화를 볼 때 신규 장비의 인도뿐 아니라 업그레이드와 실제 가동 조건을 함께 확인해야 한다. 고객의 미래 주문 관심은 확정 주문·인도·매출과 별개다. 다음 검증에서는 장비 종류별 공급 실적과 고객별 공정 적용 근거를 확인한다. 이번 갱신은 공급 전망 단락에 한정하며 위의 과거 회사별 도입 연혁을 다시 검증한 것은 아니다.