M = Memory 메모리 반도체 · INDEX = 지수 · 삼성전자 · SK하이닉스 · 삼성전자우
EUV(Extreme Ultraviolet)는 파장 13.5나노미터의 빛으로 웨이퍼에 회로를 그리는 노광 기술이다. 기존 불화아르곤(ArF) 노광은 파장이 193나노미터라, 미세한 무늬를 그리려면 같은 자리를 여러 번 나눠 찍어야 했다(멀티 패터닝). EUV는 파장이 짧아 한 번에 그릴 수 있다 — 공정 단계가 줄고, 단계가 줄면 오차가 쌓일 자리도 준다.
대신 장비가 비싸고 대수가 제한된다. ASML 한 곳만 만든다.
| 회사 | DRAM 양산 EUV 최초 적용 (공식 발표) | 적용 노드 |
|---|---|---|
| 삼성전자 | 2020-03 | 10나노급(D1x) DDR4 — "DRAM 생산에 EUV를 처음 도입" |
| SK하이닉스 | 2021-07 | 1anm 전면 적용. 그 전 1ynm에서 부분 적용으로 검증했다고 같은 보도자료에 서술 |
| 마이크론 | 2025-02 | 1γ가 EUV 적용 첫 노드 |
5년 차이는 뒤처진 것이 아니라 다른 선택이었다. 마이크론은 2022-11 1β를 발표하며 EUV를 쓰지 않았다고 명시했다 — "아직 초기 단계인 이 기술을 우회하기 위해 검증된 나노 제조·노광 역량을 활용했다"고 밝혔다. 즉 멀티 패터닝으로 1β까지 밀어붙였다는 뜻이다.
이 선택의 값과 대가는 지금도 계산 중이다. 장비 투자를 늦춘 만큼 자본지출을 아꼈지만, 공정 단계가 많으면 수율과 처리량에서 불리하다. 마이크론은 2026-06 실적에서 ASML과 다년 EUV 공급 계약을 맺고 1δ 이후 EUV 채택을 늘리겠다고 밝혔다.
이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.