HBM4E

제품·규격 · HBM4e · HBM 4E 마지막 확인 2026-08-05

HBM4E는 HBM4 다음 단계를 가리켜 제조사들이 쓰는 이름이다.

먼저 짚어야 할 것이 있다. 공개된 JEDEC 문서 목록에 HBM4E 독립 규격은 없다. HBM3E는 JESD238B.01, HBM4는 JESD270-4A라는 문서 번호가 있지만 HBM4E에 해당하는 번호는 JC-42.2 목록에서 확인되지 않는다.

다만 개별 회사의 상표라기보다 아직 표준화되지 않은 업계 세대명에 가깝다 — 삼성과 SK하이닉스가 같은 이름을 쓴다.

그래서 이 페이지의 숫자는 표준값이 아니라 회사가 자기 제품에 대해 말한 값이다. 회사가 낸 HBM4E 수치를 같은 표준 사양으로 보고 직접 비교하면 안 된다.

공식 자료가 있는 회사는 하나뿐이다

두 회사는 공식 문서가 있고 마이크론은 아직 없다. 시중 기사에는 셋이 나란히 실리므로, 어느 줄이 회사가 직접 낸 문서에서 온 것인지를 갈라 두는 것이 이 표의 목적이다.

삼성전자가 밝힌 사양

2026년 5월 29일 보도자료 기준이다.

SK하이닉스가 밝힌 사양

2026년 6월 18일 보도자료 기준이다.

최대 핀 속도는 두 회사가 같다(16Gbps). 삼성이 "안정 동작 14"를 함께 적었을 뿐이다. 그러니 최대 속도만 나란히 놓고 우열을 말할 수 없고, 갈리는 자리는 오히려 공정·전력 효율·열저항·패키징 구조 쪽이다.

베이스 다이를 자기 파운드리로 만든다는 것이 삼성의 구조적 차이다. SK하이닉스와 마이크론은 이 자리를 TSMC에 맡기는 것으로 보도되고 있다(턴키 구조 참조).

확인 못 한 것

• SK하이닉스 HBM4E의 베이스 다이 노드 — 샘플 사양은 회사가 냈지만 로직 다이 노드는 밝히지 않았다. TSMC 3nm 검토 보도(TrendForce 2026-03-20)가 있으나 회사 확인은 없다.
• 마이크론의 HBM4E 사양·일정 — TSMC와 표준·커스텀 로직 다이를 2027년 램프한다는 보도(TrendForce 2026-05-22)가 있으나 회사 발표문은 확인되지 않는다.
• 삼성의 양산 시점 — 회사가 날짜를 말하지 않았다.
• 세 회사의 가격·수율 — 어느 회사도 밝히지 않는다.

마이크론에는 이 페이지에 회사 트랙이 없다. 트랙은 공식 문서나 컨퍼런스콜 발언이 있어야 만드는 자리인데, 마이크론의 HBM4E에 대해서는 아직 그런 자료를 확인하지 못했다. 보도만 있는 내용은 아래 관련 기사에 날짜와 매체를 붙여 따로 둔다.

HBM5는 더 멀다

HBM5 역시 JEDEC 표준이 없다. SK하이닉스가 2025년 11월 2029~2031년 로드맵에 HBM5·HBM5E를 올린 것이 보도됐고, 삼성이 HBM5 베이스 다이에 2nm GAA 를 쓰겠다고 컨퍼런스콜에서 언급한 것이 지금 있는 전부다. 제품 사양이라 부를 수 있는 자료가 아니다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

관련 기사

바깥 매체가 쓴 글입니다. 회사 발표가 아니라 더 읽을거리로 둡니다 — 위 업체 트랙의 숫자는 이 기사들이 아니라 회사 공식 자료에서 온 것입니다.

• 2026-06-15 · TrendForceSK hynix Reportedly Pulls Forward HBM4E Sample Timeline
• 2026-03-20 · TrendForceSK hynix Reportedly Weighs TSMC 3nm for HBM4E Logic Dies
• 2026-05-22 · TrendForceMicron Reportedly Sets 2027 HBM4E Ramp with TSMC
• 2025-11-04 · TrendForceSK hynix Unveils 2029–2031 Roadmap Featuring HBM5, GDDR7-Next, and 400+ Layer NAND

관련 용어

지수 화면에서 이어서 보기