HBM4E

이 용어를 다룬 분석 — HBM4 2TB/s와 Rubin 22TB/s — 같은 대역폭이 아닌 이유 외 2편 ↓

HBM4E는 HBM4 다음 단계를 가리켜 제조사들이 쓰는 이름이다.

먼저 짚어야 할 것이 있다. 공개된 JEDEC 문서 목록에 HBM4E 독립 규격은 없다. HBM3E는 JESD238B.01, HBM4는 JESD270-4A라는 문서 번호가 있지만 HBM4E에 해당하는 번호는 JC-42.2 목록에서 확인되지 않는다.

다만 개별 회사의 상표라기보다 아직 표준화되지 않은 업계 세대명에 가깝다 — 삼성과 SK하이닉스가 같은 이름을 쓴다.

그래서 이 페이지의 숫자는 표준값이 아니라 회사가 자기 제품에 대해 말한 값이다. 회사가 낸 HBM4E 수치를 같은 표준 사양으로 보고 직접 비교하면 안 된다.

세 회사 모두 공식 자료가 있다 — 다만 깊이가 다르다

갈라 두는 자리가 회사가 아니라 항목으로 옮겨 갔다. 삼성·SK하이닉스는 제품 사양까지 공식이고, 마이크론은 제조 구조(TSMC 협력)만 공식이고 사양과 일정은 아직 아니다. 시중 기사에는 셋이 나란히 실리므로, 어느 줄이 회사가 직접 낸 문서에서 온 것인지를 항목 단위로 갈라 두는 것이 이 표의 목적이다.

2026-08-07 정정. 이 표는 앞서 마이크론을 통째로 "보도"로 적고 "회사 발표문을 확인하지 못했다"고 썼다. 틀렸다. 마이크론 CEO Sanjay Mehrotra 가 2025-09-23 FY4Q25 실적발표 원고에서 TSMC 협력을 직접 말했고, 이 사이트의 베이스 다이·HBM·턴키·cHBM 문서는 같은 원고를 URL과 함께 이미 인용하고 있었다. 이 페이지만 등급이 어긋나 있었다. 보도로 남는 것은 2027년 램프 시점뿐이다. src: https://investors.micron.com/static-files/5ea95475-639b-4cfc-91fd-b9b4a2bb5e63

삼성전자가 밝힌 사양

2026년 5월 29일 보도자료 기준이다.

3.6TB/s 와 4TB/s 는 다른 물건이다

삼성 HBM4E 를 두고 시중에 3.6TB/s 와 4TB/s 두 숫자가 같이 돈다. 둘 다 삼성 공식 자료에 있고, 서로 모순이 아니다 — 가리키는 구성이 다르다.

제품 페이지는 "단일 16단 스택에서 최대 4TB/s", "핀당 최대 16Gbps", "최대 64GB"라고 적는다. 5월 보도자료는 16단 64GB 를 "추가 예정" 으로만 적었다. 즉 4TB/s 는 16단이 나왔을 때의 값이고, 지금 고객에게 간 물건의 값은 3.6TB/s 다.

"삼성 HBM4E 4TB/s"라고만 적힌 기사를 볼 때는 그것이 출하물이 아니라 16단 목표치임을 같이 봐야 한다. HBM 문서의 삼성 트랙에도 같은 구분을 적어 두었다.

src: https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-begins-shipment-of-industry-first-hbm4e-samples src: https://semiconductor.samsung.com/dram/hbm/

SK하이닉스가 밝힌 사양

2026년 6월 18일 보도자료 기준이다.

최대 핀 속도는 두 회사가 같다(16Gbps). 삼성이 "안정 동작 14"를 함께 적었을 뿐이다. 그러니 최대 속도만 나란히 놓고 우열을 말할 수 없고, 갈리는 자리는 오히려 공정·전력 효율·열저항·패키징 구조 쪽이다.

베이스 다이를 자기 파운드리로 만든다는 것이 삼성의 구조적 차이다. 마이크론은 이 자리를 TSMC에 맡긴다고 회사가 직접 밝혔고(공식), SK하이닉스의 HBM4E 베이스 다이는 아직 보도만 있다 — 두 줄의 무게가 다르다(턴키 구조 참조).

마이크론이 밝힌 것 — 사양이 아니라 구조다

마이크론은 HBM4E의 제품 사양을 하나도 내지 않았다. 대신 어디서 만드느냐를 실적발표에서 공식화했다.

"For HBM4E, Micron Technology will offer standard products as well as the option for customization of the base logic die. We are partnering with TSMC for manufacturing the HBM4E base logic die for both standard and customized products." — Sanjay Mehrotra 마이크론 회장·사장·CEO, 2025-09-23 FY4Q25 실적발표 원고

이것이 왜 등급상 중요한가. 베이스 다이를 바깥 파운드리에 맡긴다는 것은 맞춤형 HBM으로 가는 진입 조건이고, 회사가 그것을 스스로 말했으면 보도가 아니라 공식이다. 다만 여기까지가 전부다 — 몇 나노인지, 언제 램프하는지, 어떤 사양인지는 같은 원고에 없다.

확인 못 한 것

• SK하이닉스 HBM4E의 베이스 다이 노드 — 샘플 사양은 회사가 냈지만 로직 다이 노드는 밝히지 않았다. TSMC 3nm 검토 보도(TrendForce 2026-03-20)가 있으나 회사 확인은 없다.
• 마이크론의 HBM4E 제품 사양 — 핀 속도·대역폭·단수·용량을 회사가 밝힌 적이 없다. TSMC 협력은 공식이지만 사양은 여전히 미확인이다.
• 마이크론의 램프 시점 — 2027년 램프는 보도(TrendForce 2026-05-22) 다. 2025-09-23 실적발표 원고에 램프 연도가 없다.
• 마이크론 베이스 다이의 TSMC 공정 노드 — TSMC와 만든다는 것까지만 공식이고 몇 나노인지는 없다.
• 삼성의 양산 시점 — 회사가 날짜를 말하지 않았다.
• 세 회사의 가격·수율 — 어느 회사도 밝히지 않는다.

HBM5는 더 멀다

HBM5 역시 JEDEC 표준이 없다. SK하이닉스가 2025년 11월 2029~2031년 로드맵에 HBM5·HBM5E를 올린 것이 보도됐고, 삼성이 HBM5 베이스 다이에 2nm GAA 를 쓰겠다고 컨퍼런스콜에서 언급한 것이 지금 있는 전부다. 제품 사양이라 부를 수 있는 자료가 아니다.

트렌드 요약 · Today/PULSE 연결

• 한줄 정의: HBM4E는 HBM4 다음 단계로 업계가 쓰는 세대명이며, 독립 JEDEC 규격명으로 확정된 것은 아니다.
• 왜 중요한가: AI 가속기용 대역폭 경쟁이 베이스 다이·패키징·고객 맞춤화 경쟁으로 이동했는지 보여준다.
• 공급망 위치: D램 코어 다이 → 로직 베이스 다이 → 파운드리·TSV·패키징 → 고객 가속기 공급망에 걸친다.
• 관련 기업·지표: 삼성전자·SK하이닉스의 12단 샘플 사양, 마이크론의 TSMC 협력, 핀 속도·대역폭·단수·양산 시점을 항목별로 본다.
• 혼동 용어: HBM4E는 HBM4의 다음 세대명이고, cHBM은 맞춤형 베이스 다이 방식이다.
• 최근 변화: 2026년 5~6월 삼성·SK하이닉스의 12단 샘플 발표가 추가됐으며, 마이크론의 협력은 공식·램프 연도는 보도로 분리했다.
• 출처·갱신일: 세 회사 공식 자료와 본문 표를 기준으로 2026-08-13 갱신.
• 이어읽기: Today(오늘의 지수) · PULSE(최근 분석) · DDR5 · HBM · LPDDR6 · cHBM

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

관련 기사

바깥 매체가 쓴 글입니다. 회사 발표가 아니라 더 읽을거리로 둡니다 — 위 업체 트랙의 숫자는 이 기사들이 아니라 회사 공식 자료에서 온 것입니다.

• 2026-06-15 · TrendForceSK hynix Reportedly Pulls Forward HBM4E Sample Timeline
• 2026-03-20 · TrendForceSK hynix Reportedly Weighs TSMC 3nm for HBM4E Logic Dies
• 2026-05-22 · TrendForceMicron Reportedly Sets 2027 HBM4E Ramp with TSMC
• 2025-11-04 · TrendForceSK hynix Unveils 2029–2031 Roadmap Featuring HBM5, GDDR7-Next, and 400+ Layer NAND

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