TSV

이 용어를 다룬 분석 — HBM4 2TB/s와 Rubin 22TB/s — 같은 대역폭이 아닌 이유 외 2편 ↓

TSV(Through-Silicon Via)는 실리콘 다이를 수직으로 뚫어 만든 전극이다. 위층 칩과 아래층 칩을 칩 가장자리로 돌아가지 않고 곧장 잇는다.

예전 적층 방식은 칩 옆에 가느다란 금선을 늘어뜨려 기판과 연결했다(와이어 본딩). 이 방식은 층이 늘어날수록 선이 길어지고, 선이 길면 신호가 늦고 전력을 더 먹는다. TSV는 그 길을 다이 두께만큼으로 줄인다. HBM이 1,024개, 2,048개짜리 넓은 통로를 쓸 수 있는 이유가 이것이다 — 와이어로는 그 수의 연결을 만들 수 없다.

숫자로 보면 규모가 짐작된다. 삼성은 2016년 HBM2를 양산하며 8Gb 다이 한 장에 TSV 홀이 5,000개 이상이라고 밝혔고, 2019년 12단 3D-TSV 기술을 발표하며 60,000개 이상이라고 했다. SK하이닉스는 HBM3 설명에서 스택당 8,000개 초과, 12단이면 100,000개를 넘는다고 했다.

어려운 지점

구멍을 뚫는 것보다 뚫고 나서가 어렵다. 다이를 얇게 갈아야 하고(그래야 구멍이 짧다), 얇아진 다이는 잘 휜다. 층 사이를 채우고 열을 빼내는 방법이 갈리는 지점이 여기이고, 그래서 MR-MUF·TC-NCF·하이브리드 본딩 같은 접합 공법이 회사마다 다르게 발전했다.

업체 트랙

이 항목에 각 회사가 언제 들어왔고, 지금 어디까지 왔고, 뭘 하겠다고 공개했는지입니다. 회사가 스스로 낸 자료만 공식으로 싣고, 매체 보도는 따로 표시합니다.

이 용어를 다룬 분석

차이로 보기

관련 용어

지수 화면에서 이어서 보기