도쿄일렉트론 하반기 장비 1.56조엔, 증가분의 4분의 3은 메모리가 만든다
가장 유력한 해석은 도쿄일렉트론의 하반기 신규 장비 가이던스 증가분 가운데 약 4분의 3이 D램·낸드에서 나오고, 장비 사이클이 2027년 상반기까지 메모리 쪽으로 기운다는 것이다. 다만 고객의 납기 앞당김과 중국 비중이 일부를 부풀렸을 수 있다.
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가장 유력한 해석은 램리서치가 2027년 장비 투자 증가를 D램이 이끌 것으로 전망하되, 클린룸·부품 제약으로 일부 출하가 3월 분기로 넘어갈 수 있다고 밝혔다는 것이다. 증설과 기술 전환의 상대 기여는 분해되지 않았다.
삼성전자는 2027년 HBM이 D램 웨이퍼 용량의 30% 가까이를 쓴다고 봤다. 이 비중 이동만으로 범용 D램 웨이퍼를 지키려면 총 웨이퍼 용량이 약 14% 늘어야 하므로, 2026~2027년 장비 투자 급증은 공급 과잉보다 공급 유지에 가까울 수 있고 과잉 위험은 2028년으로 밀릴 수 있다.