MR-MUF와 TC-NCF의 차이

비교 마지막 확인 2026-11-04

한 줄로: MR-MUF는 "다 쌓고 한 번에 채우는" 공법이고, TC-NCF는 "한 층 올릴 때마다 필름을 깔고 누르는" 공법이다. 어느 쪽이 더 낫다고 증명된 적은 없다.

가설: 순서가 다르면 강점도 다르다

공정 순서가 정반대이니 강점도 갈릴 것이라는 가설이다. 다 쌓고 액체로 채우면 틈이 빈틈없이 메워져 열이 잘 빠질 것이고, 층마다 처리하면 각 층의 두께와 정렬을 세밀하게 맞출 수 있을 것이다.

검증: 회사가 실제로 밝힌 것

SK하이닉스(MR-MUF). 액체가 틈을 빈틈없이 채워 열을 빼내는 데 유리하다고 SK하이닉스 뉴스룸이 설명한다. 개량판 Advanced MR-MUF로 방열 성능이 10% 좋아졌고, 12단 HBM3E는 D램 칩 두께를 40% 줄여 8단과 같은 두께가 됐다고 밝혔다. HBM4 개발 완료 발표에서도 이 공정을 채택했다고 했다.

삼성전자(TC-NCF). HBM3E 12단 발표(2024-02)에서 advanced TC NCF 적용을 밝혔다. 칩 사이 간극을 7㎛까지 줄여 HBM3 8단 대비 수직 밀도를 20% 이상 높였다는 내용이다. 기술 블로그는 간극을 채워 열 성능을 해칠 보이드가 없도록 한다고 덧붙였다.

비교의 한계. 두 회사의 수치는 서로 다른 기준의 자체 발표다. 같은 조건에서 맞붙인 방열·수율 비교는 공개된 것이 없다. "MR-MUF가 열에 강하다"는 SK하이닉스의 설명이지 제3자 측정이 아니다.

HBM4에서 삼성이 무엇을 쓰는지는 확인되지 않는다. 2026-02 HBM4 출하 자료는 TSV만 언급한다. 마이크론은 어느 쪽도 공개하지 않는다. 이 빈칸은 기술이 없다는 뜻이 아니라 말을 안 했다는 뜻이다.

결론: 가장 유력한 해석

가장 유력한 해석은 두 공법이 우열이 아니라 선택의 차이라는 것이다. 근거는 두 회사가 각자 자기 공법으로 12단 HBM3E까지 양산했다는 사실이다. 이 해석은 삼성이 HBM4에서 공법을 바꿨다고 밝히거나, 한쪽만 16단 양산에 성공하면 틀릴 수 있다.

인사이트: 투자자가 볼 것

• 16단 이상 양산 발표: 어느 공법이 16단에서 먼저 양산 수율을 내는지가 첫 차이로 드러난다.
• 하이브리드 본딩 도입 시점: 둘 다 대체하려는 후보라, 도입이 앞당겨지면 공법 논쟁 자체가 흐려진다. TSV와 하이브리드 본딩의 차이를 같이 보면 좋다.
• 삼성의 HBM4 공법 공개 여부: 공개되는 순간 비교표의 빈칸이 채워진다.

세 방식의 원리와 회사별 채택 현황은 HBM을 붙이는 세 가지 방법에 정리했다.

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