CXMT 4F² 선언에 삼성·하이닉스가 흔들렸는데, 진짜 위협은 언제 오나

10월 10일 열린 콘퍼런스에서 CXMT 사장이 4F² 구조 기반 DDR5 RDIMM을 연말까지 내놓겠다는 계획을 소개한 뒤, 10월 13일 삼성전자가 6.59%, SK하이닉스가 8.54% 내렸어요(한국경제 보도, 종가 기준). 코스피도 5.46% 내렸고요. 4F²라는 말이 낯설다 보니 "중국이 구조를 앞질렀다"는 이야기부터 "아직 샘플도 안 나왔다"는 이야기까지 다 나와요. 투자자가 알고 싶은 건 결국 하나예요. 이 구조가 정말 메모리 3사의 원가와 이익을 흔들 만큼 가까이 왔느냐는 거예요. 이 글은 10월 14일까지 공개된 자료로 그 질문에 답해 봤어요. CXMT의 제품 사양과 수율은 공개된 게 없어서, 회사의 주장과 확인된 사실을 나눠서 썼어요. 특정 종목을 사거나 팔라는 글은 아니에요.

가설

강세(위협이 가깝다) 가설. 4F²는 셀 하나가 차지하는 면적을 현재 주력인 6F²에서 4F²로 줄이는 구조예요. F는 최소 선폭이라서, 같은 선폭 기준으로 셀 면적이 3분의 1 줄고 셀 배열 기준 밀도는 최대 1.5배가 돼요. 이게 실제 제품에서 구현되면 비트당 원가를 낮출 여지가 생겨요. 이 가설이 맞다면 세 가지가 보여야 해요. CXMT가 실제 칩이나 모듈 사양을 공개하고, 서버 고객 인증을 받고, 점유율이 지금보다 빠르게 올라야 해요.

약세(위협이 멀다) 가설. 4F²는 셀을 세로로 세우는 만큼 만들기 어려운 구조예요. 셀을 세로로 세우면 비트라인이 촘촘히 붙어서 비트라인끼리 신호가 간섭할 수 있어요. 하이닉스 자료도 이 점을 과제로 적어 뒀어요. 서버용 D램은 신뢰성 요구도 높아서, 소비자용 위주였던 CXMT가 곧바로 대량 공급하기는 어려울 수 있어요. 이 가설이 맞다면 CXMT의 연말 제품은 구조의 일부만 쓰거나 물량이 제한적이어야 하고, 삼성과 SK하이닉스의 상용화 일정도 서두르지 않는 모습이어야 해요.

두 가설을 가르는 기준은 네 가지로 잡았어요. 하나, 4F²가 실제로 얼마의 밀도 이득을 주는지예요. 둘, 경쟁사들이 이 구조를 어디까지 만들었는지예요. 셋, CXMT가 지금 시장에서 차지하는 몫이에요. 넷, 상용화 일정이 이번 사이클 실적에 들어올 만큼 가까운지예요.

검증

먼저 4F²가 무엇을 약속하는지부터 볼게요. SK하이닉스 뉴스룸은 2025년 6월 VLSI 심포지엄에서 차선용 CTO가 "4F² VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램을 10나노급 이하에 적용하겠다"고 밝혔다고 전해요. 현재 D램은 대부분 6F² 셀이고, 4F² 셀에 웨이퍼 본딩으로 주변 회로를 셀 아래에 두는 방식을 합치면 셀 효율과 전기적 특성이 좋아진다는 설명이에요. 숫자로 풀면 6÷4=1.5라서 셀 배열 기준 최대 50% 더 담는 셈이에요. 다만 이건 셀 배열만의 이득이고, 칩 전체에는 센스 앰프와 주변 회로가 남아 있어서 칩 단위 이득은 이보다 작아요. CXMT 쪽 보도에서 밀도 30~50%라고 폭을 둔 것도 그래서로 읽혀요.

다음은 CXMT가 실제로 무엇을 말했는지예요. 트렌드포스 10월 12일 기사에 따르면 CXMT 사장은 10월 10일 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 4F² 구조를 소개하고, 4F² 기반 차세대 DDR5 RDIMM을 연말까지 내놓을 계획이라고 했어요. 4F² 관련 공개 특허군이 300개가 넘는다고도 했고요. 그런데 같은 기사는 머니투데이를 인용해 CXMT 신제품이 4F²를 일부만 채택할 수 있다고 전하고, 중국 매체 이차이(Yicai)를 인용해 CXMT가 소비자 전자제품 중심이었고 서버용은 더 높은 신뢰성이 필요하다고 짚어요. 사양, 수율, 출하 시점은 공개된 게 없어요. 그러니 지금 확인된 건 "예고"이고 "제품"이 아니에요.

그러면 경쟁사는 어디까지 왔을까요. SK하이닉스 연구 블로그가 7월 27일 올린 VLSI 2026 후기 논문 요약을 보면, 4F² VG D램 어레이를 주변 회로와 웨이퍼 본딩으로 붙여 셀 트랜지스터 성능과 읽기·쓰기 동작을 확인했다고 해요. 동시에 비트라인이 촘촘히 붙어서 기생 용량이 크게 늘고 센싱 노이즈가 커진다는 과제를 직접 적었어요. 해결책으로 비트라인 차폐와 공유 백게이트를 썼고, 비트라인 차폐가 센싱 실패를 크게 줄였다고 보고했어요. 다만 백게이트는 전기적 안정성을 높이는 대신 구동 전류와 서브스레숄드 특성을 일부 희생한다고 했어요. 즉 과제는 있지만 해결 경로도 같이 제시한 셈이에요. 요약본에는 셀 크기, 보존 시간 같은 정량 값이 없어요. 즉 하이닉스는 "동작은 한다"까지 보였고 "양산 수율이 나온다"는 아직 보이지 않았어요.

삼성전자는 ZDNet Korea 10월 14일 기사에서 송재혁 CTO가 SEDEX 2026 현장에서 4F² 기술을 개발하고 있느냐는 질문에 "그렇다", 진행 상황은 "열심히 하고 있다"고만 답했어요. 같은 기사는 삼성이 약 5년 전부터 4F²를 연구해 왔다고 전하고, 업계 관계자를 인용해 차세대 3D D램과 수직 공정(내부 프로젝트명 D0a-V)에 적용할 계획이라고 해요. 트렌드포스는 Economy Tribune를 인용해 삼성이 ISSCC 2026에서 4F² 셀과 웨이퍼 본딩을 합친 16Gb 시제품을 공개했지만 상용화 우선순위는 하이브리드 본딩이라고 전하고, 4F²가 2028년 이전에는 시장에 나오지 않을 것이라고 적어요. 2028이라는 숫자는 보도에서 나온 추정이고 삼성이 직접 밝힌 일정이 아니에요.

이제 지금 시장에서 CXMT가 어디에 있는지 볼게요. 트렌드포스 9월 7일 보도자료에 따르면 2분기 D램 산업 매출은 약 1,547억 달러로 전 분기보다 59.5% 늘었고, 삼성 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 마이크론 23.3%였어요. 앞의 10월 12일 기사는 같은 2분기에 CXMT가 4위로 점유율을 7.6%에서 9.5%로 올렸다고 적어요. 두 자료의 집계 기준이 완전히 같다고 확인한 건 아니어서 합산은 하지 않았어요. 중요한 건 방향이에요. CXMT는 이미 두 자릿수에 가까운 점유율을 가졌고, 한 분기에 약 2%p 올랐어요. 4F² 없이도 점유율을 빠르게 가져가고 있다는 뜻이에요. 반대로 말하면 4F²는 이미 진행 중인 점유율 확대를 더 가속할 수 있는 도구이지, 갑자기 판을 뒤집는 일회성 사건으로 보기는 어려워요.

가설을 판정하면 이렇게 돼요. 강세 가설이 요구한 세 가지 중 확인된 건 하나도 없어요. 사양 공개도, 서버 고객 인증도 없고, 점유율 상승은 4F² 이전부터 있던 추세예요. 약세 가설의 조건 중에는 "구조의 일부만 쓸 수 있다"는 보도와 "하이닉스가 과제를 스스로 적었다"가 확인돼요. 다만 약세 가설이 요구한 "경쟁사들이 서두르지 않는다"는 반만 맞아요. 삼성은 약 5년 전부터, 하이닉스는 2025년부터 공개 로드맵에 같은 구조를 올려 뒀어요. 이 기술은 중국만의 비밀 병기가 아니라 업계 공통의 다음 단계예요.

결론

현재 근거로 가장 유력한 결론은 두 가지예요. 하나, CXMT의 연말 4F² 모듈은 서버 시장에서 의미 있는 물량으로 잡히지 않을 가능성이 높아 보여요(제 주관적 판단으로 열 번 중 일곱 번 안팎이에요). 둘, 4F²는 삼성·SK하이닉스의 상용화 시점으로 거론되는 2028년 전후부터 원가 경쟁의 변수가 될 가능성이 높고, CXMT는 이보다 일찍 갈 수도 있어서 이 시점은 CXMT 기준으로는 더 앞당겨질 수 있어요.

근거는 세 가지예요. 첫째, 구조의 이득은 셀 배열 기준 최대 50%이지만 칩 전체 이득은 그보다 작아요. 예를 들어 셀 배열이 칩 면적의 절반이라고 가정하면(제 가정이에요) 칩 면적은 50%×(1/3)≈17% 줄어드는 정도예요. 수율 손실이 이 정도를 넘으면 원가 이득이 사라지니, 비트라인 간섭 같은 과제를 하이닉스 자료가 직접 적어 둔 점이 중요해요. 둘째, 연말 예고는 제품 사양이 없는 선언이고, 일부만 채택할 수 있다는 보도까지 있어요. 셋째, 삼성과 하이닉스도 같은 구조를 개발 중이라서, 기술 격차보다는 누가 먼저 수율을 맞추느냐의 문제로 보여요.

다만 주가가 크게 움직인 건 이유가 있어 보여요. 한국경제가 전한 모닝스타 징저웨이의 말처럼 CXMT가 경쟁사보다 먼저 4F²를 적용하면 경쟁력이 크게 좋아질 수 있어서, 시장은 "4F²가 쓸모 있다"보다 "CXMT가 이미 점유율을 빠르게 올리는 중인데 기술 격차까지 좁힌다"를 걱정한 것 같아요. 그래서 결론에는 조건이 붙어요. CXMT가 서버 고객 인증을 받은 4F² 모듈을 올해 안에 출하하면 이 결론은 철회하고 위협 시점을 2027년으로 당겨 봐야 해요.

인사이트

업황. 단기(2026~2027 상반기)에는 메모리 3사의 가격 결정력이 훼손되는 신호가 보이지 않아요. 2분기 업계 매출이 한 분기에 59.5% 늘었어요(가격과 물량을 나눠 볼 수는 없지만 수요가 강한 국면으로 보여요). 그래서 신규 공급자가 몇 퍼센트를 가져가도 가격 구조가 바로 바뀌지는 않을 것 같아요. 위험은 호황이 꺾이는 시점에 CXMT의 낮은 원가가 가격 하락 속도를 키우는 쪽으로 작용하는 거예요.

실적. 삼성과 하이닉스의 올해 이익에는 4F²가 들어 있지 않아요. 대신 2027~2028년 투자 부담으로 읽어야 해요. 4F²나 3D D램으로 넘어가면 장비와 공정 개발에 돈이 들어가고, 이 비용은 감가상각으로 이후 마진에 잡혀요. 설비투자 가이던스가 레거시 확장에서 신구조 전환으로 옮겨가는지 보면 돼요.

밸류에이션. 사양도 확인되지 않은 예고에 삼성이 6.59%, SK하이닉스가 8.54% 내렸다는 건(10월 13일 종가, 한국경제), 시장이 점유율 방어를 당연한 전제로 보다가 그 전제가 흔들릴 수 있다는 신호에 민감해졌다는 뜻으로 읽혀요. 다만 같은 날 코스피 전체가 5.46% 내려서 시장 전반 요인이 섞여 있고, 하락을 CXMT 하나로만 설명할 수는 없어요. 이 불안은 CXMT의 실제 출하·인증 숫자가 나오기 전까지는 헤드라인마다 반복될 수 있어요.

다음에 볼 숫자. 첫째, 통상 10월 말에 나오는 SK하이닉스와 삼성전자의 3분기 실적 발표에서 4F²·3D D램 일정과 2027년 설비투자 코멘트가 나오는지예요. 둘째, 트렌드포스의 3분기 D램 순위(2분기 순위가 9월 초에 나왔으니 3분기는 12월 전후로 예상해요)에서 CXMT 점유율이 9.5%에서 얼마나 더 오르는지예요. 한 분기 2%p 이상 오르면 속도가 빨라진 거예요. 셋째, CXMT가 연말 모듈의 용량, 속도, 인증 고객을 공개하는지예요.

이 결론이 틀릴 조건. CXMT가 서버 고객 인증을 받은 4F² 모듈을 올해 안에 실제 출하하면 첫 번째 결론이 틀려요. 삼성이 2028년보다 앞당긴 상용화 일정을 직접 발표해도 두 번째 결론의 시점을 앞당겨야 해요. 반대로 CXMT 모듈이 연말에 사양 없이 지연되고 점유율 상승이 한 분기 1%p 아래로 둔화되면, 지금의 우려는 과장이었다고 볼 수 있어요.

출처

1차 자료(회사·연구 발표)

• SK하이닉스 뉴스룸, IEEE VLSI 2025 DRAM 기술 로드맵 (2025-06-09)
• SK하이닉스 연구 블로그, 4F² VG DRAM 논문 요약 (VLSI 2026, 2026-07-27)
• 트렌드포스 보도자료, 2026년 2분기 D램 매출 순위 (2026-09-07)

뉴스·애널리스트

• 트렌드포스 뉴스, CXMT 4F² D램 추진과 연말 서버 DDR5 RDIMM 계획 (2026-10-12)
• ZDNet Korea, 송재혁 삼성전자 CTO SEDEX 2026 발언 (2026-10-14)
• 한국경제 보도 전재(Bloomingbit), 10월 13일 코스피·삼성·SK하이닉스 종가와 애널리스트 발언