HBM4E부터 베이스 다이를 파운드리가 만들면 메모리 3사의 몫은 줄어드나

10월 21일 마이크론은 최고기술책임자 스콧 디보어가 나선 기술 웨비나를 열었다. 신규 재무 가이던스는 없었다고 전해지지만(VLSI Korea 요약 기준) 기술 이야기에는 투자자가 읽을 대목이 있었다. HBM4는 이미 양산 중이고, 코어 다이를 1γ 공정으로 옮기는 HBM4E는 2027년에 오르며, 이 HBM4E 계열은 베이스 다이를 파운드리 공정으로 만든다는 대목이다. 베이스 다이는 HBM 스택 맨 아래에서 GPU와 신호를 주고받는 로직 층이다. 지금까지는 메모리 업체가 주로 이 층까지 맡아 HBM을 한 덩어리로 팔았는데(일부 예외는 있을 수 있다), 이 층이 파운드리로 넘어가면 메모리 업체가 파는 것은 사실상 코어 다이 묶음이 된다. 그래서 이 글의 질문은 하나다. 베이스 다이가 파운드리로 넘어가는 HBM4E 시대에 메모리 업체는 가치를 더 가져가는가, 덜 가져가는가.

가설

차별화 유지 가설(강세): 커스텀 HBM은 고객과 공동 설계하는 제품이어서 공급사가 줄고 락인이 강해지며, 메모리 업체는 오히려 협상력을 지킨다. 이 가설이 맞다면 다음이 보여야 한다. ① 공급사가 고객별 맞춤 제품을 같이 개발한다는 발언이 나온다. ② 고객이 세 공급사 모두와 모든 프로젝트를 하지 않는다는 언급이 나온다. ③ HBM이 일반 D램보다 웨이퍼를 훨씬 많이 먹는다는 점이 공급 부족을 떠받친다.

가치 이전 가설(약세): 로직 층이 파운드리·고객 설계로 넘어가면 메모리 업체는 코어 다이 공급자가 되고, 스택 단가에서 차지하는 몫과 차별화 여지가 줄어든다. 이 가설이 맞다면 ① 베이스 다이 제조사가 메모리 3사 밖의 파운드리로 명시된다. ② 성능 향상 수치가 메모리 셀이 아니라 베이스 다이와 PHY(물리 인터페이스) 설계에서 나온다고 설명된다. ③ 고객이 직접 설계한 HBM이 표준 제품과 별도 규격으로 제안된다.

두 가설은 시간축이 다르다. 강세 가설은 2027년 공급 부족과 가격에, 약세 가설은 2028년 이후 구조에 걸린다. 판정 기준은 "2027년에 무엇이 실제로 달라지는가"로 둔다.

검증

1) 웨비나의 사실관계. 아래 내용은 웨비나 요약을 전한 VLSI Korea 기사에 기반한다. 마이크론은 웨비나를 10월 19일 보도자료로 예고했고(IR 사이트에 다시보기 공개), 요약의 세부 표현은 원문 확인이 필요하다. 요약에 따르면 HBM4는 대량 생산 중이며 스택당 2.8TB/s 이상, 핀당 11Gb/s 이상이다. 36GB 12단 제품은 엔비디아 베라 루빈 플랫폼용으로 출하되고 48GB 16단 제품은 샘플링 중이다. 마이크론은 HBM3E 대비 대역폭 약 2.3배, 전력 효율 20% 이상 개선을 제시했다. HBM4E는 코어 다이를 1γ로 옮겨 2027년에 오르고, 엔비디아와 공동 설계하는 NV-HBM을 포함한 HBM4E 계열은 파운드리 베이스 다이를 쓴다. 기사는 이 파운드리가 TSMC 3나노급이라고 쓰지만 마이크론이 확인한 내용으로 적시되지는 않았다.

2) 숫자의 정합성. 핀당 11Gb/s에 HBM4의 입출력 2,048개를 곱하면 약 22.5Tb/s, 바이트로 환산하면 약 2.8TB/s다(작성자 계산). 마이크론의 2.8TB/s 이상이라는 수치와 맞는다. 삼성전자가 2월 12일 양산 출하를 발표하며 밝힌 11.7Gbps(최대 13Gbps)를 같은 방식으로 환산하면 약 3.0TB/s(최대 약 3.3TB/s)다(작성자 계산, 삼성 뉴스룸의 속도 수치 기준). 삼성은 1c(6세대 10나노급) D램을 썼다고 밝혔다. SK하이닉스가 6월에 고객사에 보낸 12단 HBM4E 샘플의 핀당 속도는 최대 16Gbps로 보도됐다. 11Gb/s에서 16Gb/s로 오르면 속도만으로 약 45% 늘어난다(16÷11, 작성자 계산). 즉 HBM4E의 대역폭 향상 상당 부분은 핀 속도에서 나오고, 핀 속도는 코어 다이와 베이스 다이의 신호 설계가 함께 결정할 것으로 보인다(작성자 추론). 다만 이는 서로 다른 회사의 출하품과 샘플 최대치를 비교한 것이어서 같은 조건의 세대 간 향상은 아니다.

3) 베이스 다이가 가치의 어디에 놓이는가. 트렌드포스(8월 12일)에 따르면 마이크론 수석부사장 수미트 사다나는 커스텀 HBM으로의 전환이 HBM4E부터 시작된다고 말했고, 5월 JP모건 행사에서 마이크론 운영 부사장 마니시 바티아는 첫 HBM4E가 JEDEC 표준 제품이며 2027년에 오른다고 밝혔다. 같은 기사는 TSMC가 표준·커스텀 HBM4E의 로직 다이를 만들 것으로 예상된다고 전한다(예상이며 확정 아님). 엔비디아 쪽에서는 톰스하드웨어가 엔비디아 커스텀 NVHBM이 일반 HBM4E 대비 대역폭 약 30% 높고 전력 약 15% 낮다고 주장하며, 맞춤 베이스 다이와 PHY를 NVLink Fusion 파트너에게 제공한다고 전했다(엔비디아 주장이며 제3자 검증 전, 성능 향상의 출처가 베이스 다이인지는 확인하지 못했다). 웨비나 요약의 NV-HBM이 같은 제품인지도 두 출처 모두 밝히지 않는다. 그럼에도 베이스 다이와 PHY가 맞춤 부품으로 따로 제공된다는 사실은 약세 가설의 신호 ③에 부합하고, 파운드리 베이스 다이는 신호 ①에 해당한다. 베이스 다이가 고객 설계 영역에 들어갈수록 그 설계 가치는 메모리 셀을 만드는 쪽이 아니라 설계를 정의하는 고객과 로직을 제조하는 파운드리가 나눠 갖게 될 가능성이 있다.

4) 반대 증거: 웨이퍼 소모. 같은 트렌드포스 기사에서 사다나는 HBM3E 100비트를 만드는 데 DDR 약 300비트어치 공급이 필요하다고 설명했고, 이 비율이 HBM4와 HBM4E를 거치며 4대 1에 가까워질 것으로 내다봤다. 웨비나 요약에도 같은 취지의 발언("트레이드 비율은 계속 오른다")이 있다. HBM 비중이 오를수록 D램 총공급이 더 빨리 줄어드는 구조이므로 강세 가설의 신호 ③은 확인된다. 사다나는 고객이 세 공급사 모두와 모든 프로젝트를 하기는 어렵고 시장이 2사 혹은 단일 공급으로 기울 수 있다고도 했는데, 이는 신호 ②에 해당하지만 임원 한 명의 관측이지 확정된 시장 결과가 아니다. 또 마이크론은 웨비나에서 공급이 적어도 2년 빠듯할 것이며 균형점이 보이지 않는다고 했다.

5) 한계. 위 수치는 대부분 회사 발언과 트레이드 매체 보도이며, HBM4E 규격은 아직 공급사별로 다르고 독립 벤치마크가 없다. 마이크론은 수직 HBM(프로세서 위에 하이브리드 본딩으로 메모리를 쌓는 방식)에도 출시 고객과 시기를 밝히지 않았다. 따라서 이 글의 판정은 방향에 대한 것이고, 몫의 크기는 계산하지 않는다. 이 한계를 넘어 베이스 다이 단가나 메모리 업체의 스택당 매출 비중을 추정하면 공개 근거가 없어 숫자를 만들어내는 일이 된다.

결론

현재 근거로 가장 유력한 결론은, 2027년까지는 강세 가설이 실적을 지배하고 구조적 장기 방향은 약세 가설에 가깝다는 것이다. 즉 단기에는 HBM 웨이퍼 소모(트레이드 비율 3대 1에서 4대 1 방향)와 최소 2년의 빠듯한 공급이 가격과 마진을 지지하지만, 베이스 다이가 파운드리로 넘어가는 HBM4E부터는 스택의 로직 부가가치가 메모리 업체 밖으로 옮겨 가는 추세가 시작된다. 아래 확률은 데이터에서 계산한 값이 아니라 작성자의 주관 판단이다. 2027년 메모리 3사의 HBM 매출 총액이 베이스 다이 외주화 때문에 줄어들 가능성은 낮고(작성자 판단, 약 20%), 2028년 이후 스택당 이익 구조가 지금보다 얇아질 가능성이 더 높다(작성자 판단, 약 50~60%).

근거는 세 가지다. ① 마이크론 스스로 HBM4E 계열이 파운드리 베이스 다이를 쓴다고 밝혔다(웨비나 요약). ② 엔비디아가 맞춤 베이스 다이와 PHY를 NVHBM의 구성요소로 따로 제공한다(대역폭 약 30%·전력 약 15% 개선 주장의 출처는 확인하지 못했다). ③ 반면 트레이드 비율은 오르는 방향이고 공급은 최소 2년 빠듯하다고 마이크론이 말했다. ①②는 구조의 방향을, ③은 단기 가격을 설명한다.

이 결론이 틀리는 조건은 다음과 같다. ① 2027년 HBM4E 램프 이후 메모리 업체의 HBM 매출총이익률이나 평균판매단가 코멘트가 유지·상승으로 확인되면(계약 단가는 비공개라 이익률로 관측한다) 약세 가설의 구조 해석은 철회한다. ② 반대로 HBM4E 램프가 2027년 하반기 이후로 밀리면 외주화 효과가 2028년으로 미뤄져 단기·장기 모두 강세 쪽으로 기운다. ③ 트레이드 비율이 4대 1에 못 미치고 3대 1에서 머물면 가격 방어 논리가 약해진다.

인사이트

업황. 가격을 지지하는 힘은 HBM 수요 자체보다 웨이퍼 소모 구조에 있다. HBM3E 100비트가 DDR 300비트어치를 먹는다면, HBM4E에서 400비트에 가까워질수록 같은 웨이퍼에서 DDR5에 나오는 공급이 줄어든다. 마이크론이 말한 "최소 2년 빠듯함"은 이 구조와 일치한다. 따라서 2027년 D램 업황은 HBM 베이스 다이 외주화와 무관하게 공급 쪽 호재가 이어질 가능성이 높다.

실적. 문제는 매출이 아니라 매출총이익의 질이다. 베이스 다이를 외부 파운드리에서 사 오면 메모리 업체의 스택당 원가 구성이 바뀌고, 로직 다이에 붙는 파운드리 마진이 원가로 들어온다. 이를 반영한 공시 수치는 아직 없으므로 2027년 1분기 이후 HBM 매출총이익률 변화가 첫 단서다. 마이크론은 지난 분기 회계 4분기 매출 542억 3,000만 달러를 냈고 다음 분기 가이던스는 약 615억 달러다(웨비나 요약이 인용한 실적 발표 수치). 이 정도 규모에서는 마진 구조의 소폭 변화도 영업이익 절대액에 크게 반영된다.

밸류에이션. 시장이 메모리 업체에 높은 배수를 주는 이유가 "이익이 아직 정점이 아니다"라는 믿음이라면, 베이스 다이 외주화는 그 믿음을 2027년까지는 훼손하지 않지만 2028년 이후 지속가능 마진 가정에는 부담이다. 반대로 HBM 단가에서 메모리 몫이 유지된다는 증거가 나오면 배수가 방어된다. 투자자가 볼 것은 매출 성장률이 아니라 HBM 이익률의 방향이다.

시나리오. 기본: 2027년 HBM4E가 예정대로 오르고 트레이드 비율이 높아 가격은 견조하지만, 스택당 이익률은 소폭 내려간다. 강세: 메모리 3사 중 일부가 베이스 다이 설계 역량을 유지해 스택 단가 방어에 성공하고 공급사가 2사로 압축되어 협상력이 커진다. 약세: 커스텀 베이스 다이가 확산되어 메모리 업체가 코어 다이 납품으로 격하되고 경쟁이 가격으로 번진다.

다음에 볼 숫자. ① SK하이닉스·삼성전자 3분기 실적 발표의 HBM 매출 비중과 HBM4E 램프 시점 언급. ② 12월 이후 마이크론 회계 1분기 실적의 HBM 이익률 코멘트. ③ 엔비디아의 NVHBM 파트너 확정과 베이스 다이 제조사 공식 확인. ④ 트레이드 비율에 대한 3사의 공식 언급이 4대 1에 가까워지는지.

출처

1차 자료

• 마이크론 IR — 기술 웨비나(10월 21일) 개최 보도자료 (2026-10-19)
• 삼성전자 뉴스룸 — 업계 최초 HBM4 양산 출하 (2026-02-12)
• 삼성전자 뉴스룸 — FMS 2026 차세대 3D 메모리 비전

뉴스·애널리스트

• 트렌드포스 — 마이크론, HBM4E를 커스텀 HBM 시대의 시작으로 규정 (2026-08-12)
• VLSI Korea — 마이크론 기술 웨비나 로드맵 해설 (2026-10-21)
• 톰스하드웨어 — 엔비디아 커스텀 NVHBM, HBM4e 대비 대역폭 30%·전력 15% 주장
• 인베스팅닷컴 — SK하이닉스 HBM4E 샘플 고객사 출하