하이닉스는 6F²를 더 쓰겠다는데, CXMT 4F²는 늦춰질까

10월 28일 SK하이닉스 3분기 콜에서 곽노정 사장은 6F² 구조를 최대한 활용하겠다는 취지로 말했다. 같은 콜에서 HBM 담당 김기태 임원은 HBM4E가 12단에서 8단으로 조정되더라도 다이당 용량이 늘어 영향을 상당 부분 메울 수 있다고 했다. 두 발언은 따로 나왔지만 하나의 질문으로 이어진다. 선두 업체가 지금 구조를 오래 쓰겠다고 하는데, 이달 10일 CXMT가 연말 출시를 예고한 4F² 구조는 정말 3사의 원가 구도를 흔들 만큼 가까이 와 있는가. 이 글은 회사 발표와 콜 녹취, 보도를 대조해 그 시점을 가늠한다. 특정 종목을 사거나 팔라는 글이 아니고, 콜 발언은 번역본과 한국어 기사를 함께 대조했다.

가설

강세(전환이 가깝다) 가설. 4F²는 셀 하나가 차지하는 면적을 현재 주력인 6F²에서 4F²로 줄이는 구조다. 6÷4=1.5이므로 같은 선폭에서 셀 배열 기준으로 최대 50% 더 많은 셀을 담는다. 이 가설이 맞다면 SK하이닉스와 삼성이 4F² 일정을 앞당긴다는 신호를 내야 하고, CXMT는 연말 모듈의 사양과 고객을 공개해야 한다. 업계 전체가 구조 전환을 서두르는 모습이 보여야 한다는 뜻이다.

약세(전환이 멀다) 가설. 선두 업체가 EUV 기반 미세화로 6F²를 더 끌고 갈 수 있다면 4F²로 서둘러 갈 이유가 줄어든다. 4F²는 셀을 세로로 세우는 만큼 비트라인 간섭 같은 과제가 있고, 장비와 공정 개발 비용도 든다. 이 가설이 맞다면 3분기 콜에서 6F² 연장이 명시되고, 4F²와 3D D램은 단계별 로드맵으로만 언급돼야 하며, 당장의 투자 우선순위는 HBM4와 1c 공정 같은 기존 경로에 있어야 한다.

두 가설을 가르는 기준은 네 가지로 잡았다. 하나, 선두 업체가 콜에서 6F²와 4F²를 어떻게 말했는지다. 둘, HBM 쪽 구조 변화가 D램 수요와 후공정 수요에 어떤 방향으로 작용하는지다. 셋, CXMT가 지금 시장에서 어느 위치인지다. 넷, 삼성의 공개 일정이다.

검증

먼저 SK하이닉스가 콜에서 한 말을 보자. Investing.com 녹취 번역본에 따르면 곽노정 사장은 양산 신뢰성과 원가 경쟁력이 이미 검증된 플랫폼을 최대한 활용하겠다는 취지로 6F² 구조를 계속 쓰겠다고 했고, 이어 기존 D램의 극한 미세화부터 4F², 3D D램까지 단계별 로드맵을 준비하고 있다고 덧붙였다. 디일렉 한국어 기사는 같은 취지로 "이후 4F² 또는 3D D램 플랫폼으로 전환하는 기술 개발을 진행하고 있다"고 전한다. 콜 번역본 가운데 4F²를 설명한 대목은 기존 6F²보다 셀 면적을 줄여 밀도를 높이는 기술이라는 일반 설명뿐이고, 상용화 연도나 수율 목표는 나오지 않는다. 즉 하이닉스는 4F²를 "준비하는 다음 단계"로 두면서 지금은 6F² 연장을 우선하겠다고 한 셈이다.

이 발언은 6월 VLSI 로드맵과 겹쳐 읽어야 한다. SK하이닉스 뉴스룸은 2025년 6월 VLSI 심포지엄에서 차선용 CTO가 4F² VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램을 10나노급 이하에 적용하겠다고 밝혔다고 전한다. 또 하이닉스 연구 블로그는 VLSI 2026 논문 요약에서 4F² VG 어레이를 주변 회로와 웨이퍼 본딩으로 붙여 읽기·쓰기 동작을 확인했다고 정리하면서, 비트라인이 촘촘해져 기생 용량과 센싱 노이즈가 커지는 과제를 스스로 적었다. 같은 요약은 비트라인 차폐 구조로 이 과제를 완화했다고도 적었다. 요약에는 셀 크기나 보존 시간 같은 정량 값이 없다. 동작은 확인했지만 양산 수율은 아직 보여 주지 않은 상태다.

다음은 HBM 쪽이다. 같은 콜에서 HBM4E는 지난 2분기에 샘플 공급을 마쳤고, 12단 HBM4에서 8단 HBM4E로 조정되더라도 다이당 용량 증가가 단수 감소 영향을 상당 부분 보완한다는 설명이 나왔다. 여기에 같은 비트 물량을 낮은 단수로 공급하면 필요한 큐브 수가 늘고 베이스 다이와 후공정 수요도 늘어난다는 취지의 설명이 붙었다. 이 말을 숫자로 풀어 보자. 12단을 8단으로 줄이면 큐브 하나의 용량을 같게 유지하려면 다이 용량이 12÷8=1.5배가 되어야 한다. 가정을 하나 놓고 보면, 다이 용량이 4/3배(약 1.33배)만 늘면 큐브 용량은 8×4/3≈10.7로 12 대비 약 11% 줄고, 같은 비트를 채우려면 큐브가 약 12.5% 더 필요하다(12÷10.7=1.125, 가정에 따른 필자 계산이다). 큐브가 늘면 큐브마다 붙는 베이스 다이와 후공정 작업이 늘어난다. 이 계산이 말하는 바는, 적층 단수를 줄이는 선택이 D램 웨이퍼 수요를 줄이기보다 후공정과 베이스 다이 쪽 부담을 키울 수 있다는 점이다. 다이 용량을 키우려면 결국 셀 밀도를 올리는 기술이 필요한데, 하이닉스는 이 수단으로 당장 4F²보다 1c 공정 확대를 앞세우고 있다. SK하이닉스 뉴스룸의 3분기 실적 발표는 10나노급 6세대(1c) 공정 비중을 빠르게 늘리고 4분기에 HBM4가 HBM3E를 출하량과 매출 모두에서 넘어서는 주력 제품이 된다고 밝혔다. 같은 발표에서 3분기 영업이익은 83.33조 원, 영업이익률은 80%였다.

그러면 CXMT는 어디에 있을까. 트렌드포스 10월 12일 기사에 따르면 CXMT 사장은 10월 10일 콘퍼런스에서 4F² 구조 기반 DDR5 RDIMM을 연말까지 내놓을 계획이라고 했고, 같은 기사는 이 신제품이 4F²를 일부만 채택할 수 있다는 보도와 CXMT가 서버용에서는 더 높은 신뢰성이 필요하다는 지적도 함께 전한다. 사양, 수율, 출하 시점은 공개되지 않았다. 점유율은 이미 움직이고 있다. 같은 기사는 2분기에 CXMT가 4위로 점유율을 7.6%에서 9.5%로 올렸다고 적고, 트렌드포스 9월 7일 보도자료는 2분기 D램 매출이 전 분기보다 59.5% 늘었고 점유율은 삼성 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 마이크론 23.3%라고 정리한다. 두 자료의 집계 기준이 같은지는 확인하지 못해 점유율을 합산하지 않았다. 방향만 보면, CXMT는 4F² 없이도 2분기에 점유율을 1.9%p 올렸다. 한 분기 관측이어서 추세로 단정하기는 이르다.

삼성은 ZDNet Korea 10월 14일 기사에서 송재혁 CTO가 4F²를 개발하고 있느냐는 질문에 "그렇다", 진행 상황은 "열심히 하고 있다"고만 답했다고 전한다. 같은 기사는 삼성이 약 5년 전부터 4F²를 연구했다고 전한다. 일정은 밝히지 않았다. 트렌드포스는 Economy Tribune 보도를 인용해 삼성이 상용화에서 하이브리드 본딩을 우선하고 있으며 4F² 도입 일정은 확정된 것이 없다고 전한다. 같은 기사에는 이 기술이 2028년 이전에는 시장에 나오지 않을 것이라는 문장도 있지만, 지시 대상이 4F²인지 하이브리드 본딩인지 분명하지 않아 이 글에서는 연도 근거로 쓰지 않았다.

가설을 판정하면 약세 가설 쪽이 더 많은 조건을 채운다. 강세 가설이 요구한 선두 업체의 일정 앞당김은 확인되지 않았다. 하이닉스는 6F² 연장을 명시했고, 삼성은 일정을 말하지 않았다. 약세 가설의 세 조건 가운데 6F² 연장 명시와 단계별 로드맵 표현은 확인됐고, 투자 우선순위가 HBM4와 1c에 있다는 점도 발표문에서 확인된다. 다만 약세 가설이 놓치는 부분이 있다. 선두 업체가 서두르지 않는다고 해서 후발 업체까지 서두르지 않는 것은 아니다. 점유율을 빠르게 늘려야 하는 쪽에게는 원가를 낮출 구조 변화의 유인이 더 크다.

결론

현재 근거로 가장 유력한 결론은 이렇다. 4F²가 올해와 내년 메모리 3사의 이익을 바꿀 변수일 가능성은 낮고, 구조 전환의 속도는 선두보다 후발 업체가 정할 가능성이 있다. 근거는 세 가지다. 첫째, 하이닉스 사장이 콜에서 6F²를 계속 쓰겠다는 취지로 직접 말했고 4F²는 단계별 로드맵으로만 언급했다. 둘째, 하이닉스의 4F² 논문 요약은 동작 확인 단계이고 정량 수율이 없으며 과제도 스스로 적었다. 셋째, CXMT의 연말 모듈은 사양 없는 예고이고 일부만 채택할 수 있다는 보도까지 붙어 있다.

연말 CXMT 4F² 모듈이 서버 시장에서 의미 있는 물량으로 잡히지 않을 가능성이 더 높다고 본다. 정량 모델에 기댄 판단이 아니라 위 근거들의 무게를 비교한 필자의 판단이다. 4F²가 3사 원가 경쟁의 변수가 되는 시점은 연도를 특정할 근거가 없다. 삼성과 하이닉스 모두 확정 일정을 밝히지 않았기 때문이다. 대신 시점을 정하는 조건은 비교적 분명하다. CXMT가 부분 적용 제품이라도 서버 고객 인증을 통과하는 때가 먼저 신호가 되고, 선두 업체의 연도 발표가 그다음이다. 이 결론이 틀리는 조건은 아래 인사이트에 적었다.

인사이트

업황. 단기 가격 구도에는 4F²가 들어 있지 않다. 하이닉스는 4분기 D램 출하량이 전 분기보다 20% 중반 늘어난다고 했고 HBM 고객 요청 물량이 공급 가능 물량의 2배를 넘는다고 했다. 구조 전환보다 증설과 공정 전환이 당분간 공급을 정한다는 뜻으로 읽힌다. 4F² 논의는 수요가 식는 국면에서 후발 업체가 가격을 끌어내리는 수단이 될 때 비로소 업황 변수가 된다.

실적. 하이닉스에게 4F²는 지금 이익 요인이 아니라 이후 전환 때 들어갈 비용 항목으로 보인다. 6F²를 오래 쓰면 그만큼 전환 투자와 감가상각이 뒤로 밀려 마진 방어에 유리하다. 반대로 HBM4E의 8단 전환은 큐브 수 증가를 통해 베이스 다이와 후공정 부담을 키운다. 위 계산대로 다이 용량이 1.5배에 못 미치면 같은 비트를 채우는 데 큐브가 더 필요하다. 후공정 수율이 이익률의 숨은 변수가 되는 이유다. 원가 구조를 볼 때는 D램 셀 구조보다 HBM 후공정 수율과 베이스 다이 비용을 먼저 봐야 한다.

밸류에이션. 점유율 방어는 지금까지 당연한 전제로 여겨졌고, 선두의 6F² 연장 발언은 그 불안을 일부 덜지만, 후발 업체의 원가 곡선이 선두보다 빠르게 내려오면 이익 정점 이후 가격 하락 속도가 빨라진다는 위험은 남는다. 이 위험이 얼마나 가까운지에 따라 정점 구간 배수에 대한 시장의 판단이 달라질 수 있어, 4F² 일정 뉴스는 배수 논쟁의 변수로 볼 만하다.

다음에 볼 숫자. 첫째, 삼성전자의 3분기 콜에서 4F²와 3D D램 일정, 1c 공정 비중이 나오는지다. 둘째, 트렌드포스의 3분기 D램 순위에서 CXMT 점유율이 9.5%에서 얼마나 오르는지다. 필자가 임의로 정한 기준으로, 한 분기에 2%p 이상 오르면 속도가 유지되는 것이고 1%p 아래면 둔화로 본다. 셋째, CXMT의 연말 모듈이 용량·속도·인증 고객을 공개하는지다. 넷째, 하이닉스의 4분기 콜에서 6F² 확장 표현이 유지되는지, 4F²에 연도가 붙는지다.

이 결론이 틀릴 조건. CXMT가 서버 고객 인증을 받은 4F² 모듈을 올해 안에 실제 출하하면 첫 번째 결론은 철회해야 한다. 하이닉스나 삼성이 4F² 상용화 연도를 직접 밝히면 두 번째 결론의 시점을 그 연도에 맞춰 다시 써야 한다. 반대로 CXMT 모듈이 사양 없이 지연되고 점유율 상승이 분기 1%p 아래로 둔화되면, 지금의 우려는 과장이었다고 볼 수 있다.

출처

1차 자료(회사·연구 발표)

• SK하이닉스 뉴스룸, 2026년 3분기 경영실적 발표 (2026-10-28)
• SK하이닉스 뉴스룸, IEEE VLSI 2025 DRAM 기술 로드맵 (2025-06)
• SK하이닉스 연구 블로그, 4F² VG DRAM 논문 요약 (VLSI 2026)
• 트렌드포스 보도자료, 2026년 2분기 D램 매출 순위 (2026-09-07)

뉴스·애널리스트·녹취

• Investing.com, SK하이닉스 3분기 콜 녹취 번역본 (2026-10-27)
• 디일렉, SK하이닉스 3분기 컨퍼런스콜 전문 (2026-10-28)
• 트렌드포스, CXMT 4F² 예고와 2분기 점유율 (2026-10-12)
• ZDNet Korea, 삼성전자 송재혁 CTO 4F² 발언 (2026-10-14)