ASML "2028년까지 공급 부족" — D램 비트 증가의 상한은 EUV 장비인가

10월 14일 ASML은 3분기 매출 116억 6,200만 유로, 매출총이익률 57.5%, 순이익 49억 6,000만 유로라는 분기 기록을 발표했다. 숫자보다 눈에 띄는 대목은 CEO 크리스토프 푸케의 문장이다. 그는 "현재 계획된 2027년과 2028년 공급이 고객 수요를 완전히 충족하지 못할 것"이라고 밝혔다. 메모리 업체가 증설을 서두르는 지금, 이 말은 D램 공급이 얼마나 빨리 늘 수 있는지에 대한 상한선 이야기처럼 들린다. 그런데 EUV 장비 한 대가 곧 D램 비트 몇 개인지는 업체마다 다르다. 트렌드포스가 한국 언론을 인용해 전한 바로는 마이크론이 1γ 샘플에서 EUV를 한 층에만 쓴 반면, 삼성과 SK하이닉스는 1c에 다섯 층 넘게 쓸 계획이다(회사 확인이 아닌 보도). 그래서 이 글의 질문은 하나다. EUV 장비 공급은 정말 D램 비트 증가의 상한인가, 아니면 시장이 과대 해석하는 병목인가.

가설

강세 가설(장비 상한 가설): D램 증설은 EUV 장비 인도 속도에 묶여 있고, 그 때문에 2027~2028년에도 공급이 수요를 따라가지 못한다. 이 가설이 맞다면 다음 신호가 보여야 한다. ① ASML이 EUV 출하를 늘려도 고객 수요를 못 채운다고 말한다. ② 메모리 고객의 장비 매출이 출하 대수 증가율보다 빠르게 는다(장비당 단가·업그레이드 수요가 함께 늘기 때문이다). ③ 후발 업체가 EUV 층수를 늘리는 방향으로 움직인다.

약세 가설(비병목 가설): EUV는 층수를 줄이거나 ArF 액침(DUV) 다중 패터닝으로 대체할 수 있어서 D램 비트 증가를 결정하는 변수가 아니다. 진짜 상한은 클린룸 면적, HBM 후공정, 그리고 수요다. 이 가설이 맞다면 ① 일부 업체가 EUV 층을 최소화한 채 비트 밀도를 올린다. ② ASML 고객 중 메모리의 비중이 실적 대비 크게 늘지 않는다. ③ 장비 인도를 앞당겨 쌓아두는 구매(스톡파일)가 나타난다. 마지막 신호는 장비가 부족하지 않다는 증거이면서, 동시에 부족할 것을 두려워한다는 증거이기도 해서 해석이 갈린다.

두 가설은 배타적이지 않다. 이 글의 판정 기준은 "EUV가 상한이면 무엇이 달라지는가"다. 달라지는 것이 2027년 공급 증가율이라면 업황 판단에 의미가 있고, 그렇지 않다면 장비 이야기는 소음이다.

검증

1) ASML 숫자로 본 수요의 크기. SEC에 제출된 6-K에 따르면 3분기 총매출은 116억 6,200만 유로로 2분기 93억 2,600만 유로보다 약 25% 늘었다. 설치 기반 매출(업그레이드·서비스)은 32억 8,900만 유로이고, 총매출에서 이를 뺀 신규 장비 매출은 약 83억 7,300만 유로다(계산은 작성자). 신규 리소그래피 장비는 113대가 팔렸다. 실적 콜 요약(MarketBeat)에 따르면 이 중 EUV 매출은 41억 유로로 순시스템 매출(약 84억 유로)의 약 49%를 차지한다. 메모리는 이 순시스템 매출 84억 유로의 46%, 로직이 54%였다. 계산하면 메모리 장비 매출은 분기 약 38억 6,000만 유로다(84억 유로 × 46%, 작성자 계산, 반올림). 층위를 분명히 하면 이 46%는 ASML이 인도해 매출로 인식한 장비의 비중이지, 메모리 업체의 EUV 발주 비중이나 EUV 가동 비중이 아니다.

2) 출하 대수와 매출의 증가율은 다르다. ASML은 2026년 저NA EUV 시스템을 약 65대 생산·출하할 것으로 예상하며(실적 콜 요약, 확정 실적이 아닌 연간 예상), 이는 2025년의 44대보다 거의 50% 늘어난 수치(계산하면 +47.7%)라고 밝혔다. 같은 콜에서 2026년 메모리 순시스템 매출(memory net system sales)이 약 75% 늘 것으로 전망했다. 예상 출하 대수 증가율(약 48%)보다 메모리 순시스템 매출 전망 증가율(약 75%)이 큰 이유는 한 가지로 단정할 수 없다. 메모리 업체의 EUV 채택 확대, 설치 기반 업그레이드 수요(3분기 32억 9,000만 유로, 가이던스보다 약 4억 유로 많음), 장비 믹스 변화가 겹쳤을 수 있다. 확실한 것은 ASML의 판매가 대수 증가보다 빠르게 메모리 쪽으로 쏠린다는 점이다. 강세 가설의 신호 ②가 확인된다.

3) 공급 증설 계획도 부족하다고 한다. ASML은 2027년 저NA EUV와 DUV 액침 장비 생산능력을 30% 늘리는 계획을 세워 두었고 2028년에 추가로 30%를 검토해 왔다. 그런데 CFO 로저 다센은 이 계획으로도 고객 수요를 충족하지 못한다고 말했고, 2028년 수준을 넘는 증설을 검토 중이라고 한다. 고객들은 적어도 2028년까지 수요가 공급을 웃돌 것으로 예상하며, ASML은 2029~2030년 주문은 아직 받지 않았다는 설명이다. 신호 ①도 확인된다. 다만 이 말은 장비 제조사의 발언이라는 점을 감안해야 한다. 장비사는 수요가 강하다고 말할수록 가격 인상 근거(2027년부터 일부 주력 제품 가격 인상 반영, 2028년 본격화)가 생긴다.

4) 층수 차이: 약세 가설의 반박. 마이크론의 1γ(6세대 10나노급) D램은 EUV를 한 층에만 쓴다. 트렌드포스가 조선비즈를 인용해 보도한 내용이다. 마이크론은 이 1γ를 자사 첫 EUV 적용 세대로 소개했으나 웨이퍼당 비트 증가 폭은 마이크론 원문을 직접 확인하지 못해 인용하지 않는다. 같은 보도에서 삼성은 1c에 EUV를 다섯 층 넘게, SK하이닉스도 1c에 다섯 층 넘게 적용할 계획으로 전해졌다. 익명의 업계 관계자는 "EUV 층이 늘수록, 특히 세 층을 넘으면 난이도 격차가 벌어진다"고 말했다. 즉 EUV를 한 층만 쓰는 세대가 샘플로 나왔다는 사실은 EUV 층수가 업체별로 크게 다르고 장비 한 대가 지탱하는 비트도 다르다는 뜻이다. 이 층수 정보는 모두 한국 언론 보도를 전한 트렌드포스 기사이며 회사 공식 확인이 아니다. 층수 차이는 업체별 EUV 수요가 크게 다르다는 뜻이어서, "EUV 장비 한 대당 비트"를 하나의 숫자로 일반화하면 안 된다.

5) 중국의 선구매. 보도(SCMP 인용, aiweekly)에 따르면 3분기 ASML의 중국 출하는 전 분기 대비 109% 늘었고, 시스템 매출 중 중국 비중은 14%에서 23%로 올랐으며 연간으로는 20% 안팎이 될 전망이다. 경영진은 중국의 메모리·스토리지 업체가 공급 차단 가능성에 대비해 향후 3년 증설에 필요한 리소그래피 장비를 미리 사들이고 있다고 설명한 것으로 전해진다. EUV는 대중국 수출이 막혀 있다는 점이 널리 알려져 있으므로, 이 선구매는 주로 DUV 장비일 가능성이 높다(작성자 판단). 이는 약세 가설의 신호 ③에 해당한다. 다만 DUV 중심 증설은 EUV 업체의 첨단 D램 비트 공급을 직접 늘리지 않는다는 점에서, 글로벌 첨단 D램 가격 판단에는 제한적이다.

6) 고NA는 D램의 2027년 변수가 아니다. ASML에 따르면 인텔이 고NA로 100만 장 넘는 웨이퍼를 노광했고, 고NA 장비 가동률은 90%에 근접했다. 삼성과 TSMC의 고NA 양산 도입 시점은 각각 2028년과 2030년이다. 3분기 EUV 매출에 고NA 장비는 1대만 포함됐다. 따라서 2027년 D램 공급 증가는 기존 저NA EUV 장비와 NXE:3800E 계열의 인도에 달려 있다. 2027년 초 소량 도입될 NXE:3800F는 시간당 웨이퍼 처리량이 260장으로 현행 230장보다 약 13% 높다(계산은 작성자). 같은 장비 대수에서도 처리량이 늘어나는 셈이어서, 장비 대수 상한을 일부 완화한다.

7) 가장 최근 가격 신호: 10월 20일 트렌드포스. ASML 발표 이후 처음 나온 가격 전망이 이 논의의 현재성을 시험한다. 트렌드포스(10월 20일, Commercial Times 인용)는 4분기 일반 D램 계약가가 전 분기 대비 약 20% 오를 것으로 전망했다. 같은 기사는 이 상승률이 2분기 약 80%, 3분기 약 40%에서 둔화한 것이며 이유로 "높은 비교 기준과 약해진 최종 시장 구매력"을 들었다. 즉 가격은 여전히 오르지만 오름폭은 빠르게 줄고 있다. 장비 상한 가설의 관점에서 이것은 양면적이다. 공급이 빠듯하다는 사실은 가격 상승이 이어지는 이유가 되지만, 오름폭 둔화는 수요 쪽 약화나 단가 부담이 가격 상승을 제한한다는 뜻이어서 '장비가 부족하니 가격이 계속 가속한다'는 단순 서사는 지지하지 않는다. 같은 기사에는 장비·클린룸·EUV를 공급 부족의 원인으로 지목하는 문장이 없다는 점도 밝혀 둔다. 이 글의 장비 연결고리는 가격 기사가 아니라 ASML 발언에서 오는 작성자 추론이다.

8) 업체들은 실제로 EUV를 주문하고 있다. 3월 24일 SK하이닉스는 ASML EUV 장비를 약 11조 9,500억 원(약 80억 달러)에 도입한다고 공시했고 2027년 12월까지 약 2년에 걸친 거래다. 트렌드포스가 전한 ET뉴스 보도로는 2027년까지 EUV 약 20대를 추가해 보유 대수를 두 배로 늘릴 계획이며 장비 한 대 가격은 3,000억~5,000억 원이다(보도, 공시 원문 대조 필요). 이 숫자는 D램 업체가 EUV를 병목으로 인식하고 선주문한다는 정황 증거다. 다만 주문과 병목은 같은 말이 아니다. 주문은 병목을 피하기 위한 행동이기도 하고, 병목이 풀렸는지는 인도 시점과 클린룸 가동으로 판단해야 한다.

판정. 강세 가설은 신호 ①을 충족하고 ②는 부분적으로 충족하며, 약세 가설은 신호 ③과 층수 차이(마이크론)를 근거로 일부 유효하다. 신호가 엇갈리는 지점은 "장비 부족"이 "비트 부족"으로 곧바로 이어지는지다. 이 연결은 업체별 층수, 클린룸 가동, 수율에 의존해 단일 숫자로 입증할 수 없다.

결론

현재 근거로 가장 유력한 결론은, EUV 장비 공급이 D램 비트 증가의 유일한 상한은 아니지만 2027년 글로벌 첨단 D램 공급 증가율을 수요 증가율 아래에 묶는 핵심 제약 중 하나라는 것이다. 확률을 수치로 계산할 근거는 없으므로 정성적으로 '그럴 가능성이 더 높다'고 본다(작성자 판단). 이 결론은 ASML의 EUV·DUV 전체 공급 부족 발언에서 첨단 D램으로 추론한 조건부 해석이다. 근거는 세 가지다. ① ASML 스스로 2027~2028년 계획 공급으로도 수요가 충족되지 않는다고 밝혔다. 이는 저NA EUV와 DUV 액침 전체에 대한 발언이어서 첨단 D램만의 비트 상한을 직접 입증하지는 않는다. ② 메모리 순시스템 매출 전망이 EUV 예상 출하 대수 증가율보다 크다(약 75% 대 약 48%). 다만 매출 증가에는 DUV·업그레이드·믹스도 섞여 있다. ③ 고NA가 D램에 들어오는 시점이 2028년 이후여서 2027년에는 대체 수단이 없다.

이 결론이 상한을 "유일한" 것으로 보지 않는 이유는 약세 가설의 근거도 실재하기 때문이다. 마이크론처럼 EUV를 최소화하고도 웨이퍼당 비트를 크게 올린 경로가 있고, 중국의 선구매는 DUV 위주일 가능성이 높아 첨단 D램 공급 판단에서 분리해 읽어야 한다. 또한 HBM은 TSV 웨이퍼의 비트 손실과 후공정 캐파가 별도의 제약이다. 장비 부족은 수요 강세 국면에서 가격을 지지하는 방향으로 작동하지만, 부족 폭이 얼마인지는 이 글의 근거만으로 수치화할 수 없다.

이 결론이 틀리는 조건은 다음과 같다. ① ASML이 2027년 EUV 출하 계획을 추가로 올리면서도 고객 발주가 둔화하는 경우(수요 쪽 균열). ② 삼성·SK하이닉스의 2027년 설비투자 가이던스가 장비 인도 일정 때문이 아니라 수요 때문에 줄어드는 경우. ③ D램 계약가 상승률이 4분기 이후 급격히 꺾이는 경우. 세 가지 중 하나라도 확인되면 "장비 상한" 해석은 철회하고 약세 가설로 옮겨 간다.

인사이트

업황. 장비 공급이 빠듯하면 증설이 늦어지고, 증설이 늦어지면 D램 가격이 오래 높게 유지될 가능성이 커진다. 반대로 말하면 이 사이클의 정점 시점은 수요 약화보다 장비 인도 병목이 풀리는 시점에 가까울 수 있다. 2027년 초 NXE:3800F 소량 도입과 2027~2028년 ASML 증설이 실제로 인도되는 속도를 가장 먼저 확인해야 한다. 첨단 D램은 EUV 층이 많은 SK하이닉스·삼성이 장비 부족의 영향을 더 크게 받고, EUV를 최소화한 마이크론은 상대적으로 덜 받는다는 해석이 가능하다. 다만 마이크론은 1γ를 EUV 한 층으로 시작한 뒤 층수를 늘릴 가능성이 있어 이 우위가 영구적이라고 보기는 어렵다.

실적. ASML 입장에서는 설치 기반 업그레이드 매출(3분기 32억 9,000만 유로, 4분기 약 37억 유로 가이던스)과 가격 인상이 총이익률을 지지한다. 2026년 매출 가이던스는 440억~450억 유로이고 4분기 142억~152억 유로다. 메모리 업체 입장에서는 장비 인도 지연이 비트 출하 증가율을 낮추는 대신 ASP를 지지한다. 예컨대 비트 출하 증가율이 장비 인도에 묶여 연 30%대에 머물러도 가격이 유지되면 이익 방어에 문제가 없다. 이 시나리오는 설비투자를 늘려도 비트가 따라오지 않는 시기에는 투자 대비 수익률이 낮아질 위험도 함께 갖는다.

밸류에이션. 시장이 메모리 업체에 높은 배수를 주는 근거가 "이익이 정점을 지나지 않았다"는 믿음이라면, 장비 병목은 그 믿음을 지지하는 구조적 근거다. 반대로 장비사 쪽은 2028년 주문까지 받고 있어 이미 상당 부분 반영됐을 가능성이 있다. 이 글은 투자 권유가 아니며, 확인 가능한 숫자 기준으로 가설을 점검한 것이다.

시나리오. 기본: 2027년 EUV 인도 증가로 D램 비트 공급이 수요보다 약간 모자라 가격이 높게 유지된다. 강세: ASML이 2028년 이후 추가 증설과 가격 인상을 확정하고 메모리 업체가 EUV 층수를 늘려 공급 부족이 2028년 이후로 이어진다. 약세: 수요가 AI 서버 이외에서 꺾이거나 층수 절감 기술이 확산돼 장비 병목이 풀린다.

다음에 볼 숫자. ⓪ 곧 나올 SK하이닉스·삼성전자의 3분기 실적 발표와 4분기 D램 가격 전망(트렌드포스 10월 20일 약 +20%가 맞는지). ① 2027년 1월 ASML 4분기 실적에서 2027년 저NA EUV 출하 대수와 메모리 비중. ② 삼성전자·SK하이닉스 4분기 실적 발표에서의 2027년 설비투자와 D램 비트 출하 증가율 가이던스. ③ 마이크론 1γ 이후 세대의 EUV 층수 공개 여부. ④ 4분기 D램 계약가 상승률 실적치(트렌드포스 10월 20일자 약 20% 전망과 비교). ⑤ 중국향 출하 비중이 3분기 23%에서 4분기에 어디로 가는지.

출처

1차 자료

• ASML 3분기 2026 실적 발표 (SEC 6-K, 2026-10-14)
• ASML 3분기 2026 실적 발표 자료 (SEC 6-K 첨부 프레젠테이션)

뉴스·애널리스트

• 트렌드포스 — 4분기 D램 계약가 약 20% 상승 전망, 상승률 둔화 (2026-10-20)
• 트렌드포스 — SK하이닉스 ASML EUV 약 12조 원 도입 (2026-03-24)
• MarketBeat — ASML 3분기 2026 실적 콜 요약 (2026-10-14)
• 트렌드포스 — 마이크론 1γ EUV 사용 축소(2025-03-11, 과거 사례로만 인용)
• AI Weekly(SCMP 인용) — ASML 3분기 중국 출하 109% 증가 (2026-10-15)